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1. (WO1997018912) KNIFES BLADES HAVING ULTRA-SHARP CUTTING EDGES AND METHODS OF FABRICATION
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Pub. No.: WO/1997/018912 International Application No.: PCT/US1995/015690
Publication Date: 29.05.1997 International Filing Date: 22.11.1995
IPC:
B26B 9/02 (2006.01)
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
26
HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
B
HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
9
Blades for hand knives
02
characterised by the shape of the cutting edge, e.g. wavy
Applicants:
MARCUS, Robert, B. [US/US]; US
TRIMMER, William, S. [US/US]; US
Inventors:
MARCUS, Robert, B.; US
TRIMMER, William, S.; US
Agent:
SCHANZER, Henry, I.; 29 Brookfall Road Edison, NJ 08817, US
Priority Data:
Title (EN) KNIFES BLADES HAVING ULTRA-SHARP CUTTING EDGES AND METHODS OF FABRICATION
(FR) LAMES DE COUTEAUX A TRANCHANT ULTRA-EFFILE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract:
(EN) Knifes blades having exceptionnally sharp cutting edges (19) are formed from wafers (10) of monocrystalline silicon using known semiconductor processing technology. In one embodiment, an elongated ridge (18) having a flat top (20) covered by an etchant mask (15) is etched to undercut the mask (15) and to shape the ridge side walls (17) to inwardly converge towards the ridge tip (19). The mask (15) is removed and a sharp ridge apex (19) is provided by a series of oxide forming and oxide stripping processes. Individual knife blades of silicon, each comprising a ridge (18) having a sharp cutting edge (19), are shaped from the wafer (10). In another embodiment, the silicon wafer (50) is etched entirely through between top (52) and bottom (54) surfaces to form a tapered etched wall (87) intersecting the bottom wall (54) at a highly acute edge (91). The edge (91) is sharpened by the oxide forming and oxide stripping process to form a cutting edge (91) in the completed blade. In both embodiments, various etch masks and etching procedures are used for providing blades of various shapes.
(FR) La présente invention concerne des lames de couteaux présentant des tranchants (19) exceptionnellement effilés réalisés à partir de tranche de silicium monocristallin en employant une technique connue de traitement de semi-conducteurs. Selon une réalisation, une arête (18) de forme allongée, et dont le dessus est plat (20) et recouvert d'un masque (15) pour réactif d'attaque, subit une attaque chimique en contre-dépouille du masque (15) jusqu'à ce que la paroi latérale de l'arête (17) prenne une forme convergeant vers la pointe (19) de l'arête. Après suppression du masque (15), on forme sur l'arête un sommet (19) en angle aigu par une série d'opérations de formation d'oxyde et d'élimination de l'oxyde. Ce procédé permet de mettre en forme, en partant d'une tranche de silicium (10), différentes lames de couteau en silicium, chaque lame comportant une arrête en tranchant (19) effilé. Selon une autre réalisation, la tranche de silicium (50) est soumise à attaque chimique dans sa totalité comprise depuis la face supérieure (52) jusqu'à la face inférieure (54) de façon à constituer par attaque chimique une paroi biseautée (87) venant en intersection avec la paroi du fond (54) et formant un tranchant (91) très effilé. Le tranchant (91) est aiguisé par une série d'opérations de formation d'oxyde et d'élimination de l'oxyde, jusqu'à réalisation du tranchant (91) de lame complète. Pour les deux réalisations, on a recours à différents masques d'attaque chimique et différents procédés d'attaque chimique pour obtenir des lames de diverses formes.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
AU1996044142