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1. (WO1997018612) FAULT TOLERANT POWER DISTRIBUTION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1997/018612 International Application No.: PCT/US1996/016941
Publication Date: 22.05.1997 International Filing Date: 23.10.1996
Chapter 2 Demand Filed: 30.05.1997
IPC:
H02J 1/10 (2006.01) ,H02J 9/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
J
CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
1
Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
10
Parallel operation of dc sources
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
J
CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
9
Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
Applicants:
THE BOEING COMPANY [US/US]; P.O. Box 3707 M.S. 13-08 Seattle, WA 98124-2207, US
Inventors:
SHI, Fong; US
Agent:
HENNEN, Thomas, W.; The Boeing Company P.O. Box 3707 M.S. 13-08 Seattle, WA 98124-2207, US
Priority Data:
08/555,70014.11.1995US
Title (EN) FAULT TOLERANT POWER DISTRIBUTION SYSTEM
(FR) SYSTEME DE DISTRIBUTION DE PUISSANCE INSENSIBLE AUX DEFAILLANCES
Abstract:
(EN) A power distribution circuit is provided that isolates both power source and load faults. In one embodiment, the power distribution circuit includes two power MOSFETs connected with the channels of the power MOSFETs in series and having their gates electrically connected together. The body diode of one power MOSFET is aligned with the opposite polarity with respect to polarity of the body diode of the second power MOSFET. The power MOSFETs are adapted to be coupled between a first power source and a load. The power distribution circuit also includes a first sensor that detects when the power MOSFETs conduct too much current and switches the power MOSFETs off by discharging the gate voltage of both power MOSFETs during such overcurrent conditions. Accordingly, when both power MOSFETs are switched off, the opposing polarity of the body diodes in the power MOSFETs ensures that one of the body diodes will be reversed biased in case of a short circuit failure in either the load or the power source. Incorporating N such power circuits in a power distribution module for distributing power from N power sources to a single load provides a fault tolerant power distribution module that can tolerate up to N-1 power source faults.
(FR) L'invention concerne un circuit de distribution de puissance isolant à la fois la source de puissance et les défaillances de charge. Dans un mode de réalisation, ce circuit de distribution de puissance comprend deux transistors MOS à effet de champ de puissance branchés en série aux canaux des transistors MOS à effet de champ de puissance et dont les grilles sont connectées électriquement. La diode de corps d'un transistor MOS à effet de champ de puissance est alignée sur la polarité opposée par rapport à la polarité de la diode de corps du deuxième transistor MOS. Ces transistors MOS sont conçus pour être couplés entre une première source de puissance et une charge. Ce circuit de distribution de puissance comprend également un premier détecteur qui détecte le moment pendant lequel les transistors MOS véhiculent trop de courant et met ces derniers hors service par décharge de la tension de grille des deux transistors pendant des périodes de surintensités. De ce fait, quand les deux transistors sont mis hors service, la polarité opposée des diodes de corps des transistors fait en sorte qu'une de ces diodes sera inversée en polarisation dans le cas d'une panne due à un court-circuit dans la charge ou dans la source de puissance. L'incorporation de N de ces circuits de puissance dans un module de distribution de puissance servant à distribuer de la puissance à partir de N sources de puissance vers une charge unique permet d'obtenir un module de distribution de puissance insensible aux défaillances et pouvant tolérer un maximum de N-1 défaillances de la source de puissance.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
AU1996074676