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1. (WO1997018590) VARICAP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1997/018590 International Application No.: PCT/RU1996/000313
Publication Date: 22.05.1997 International Filing Date: 04.11.1996
IPC:
H01L 29/93 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
86
controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched
92
Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
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Variable-capacitance diodes, e.g. varactors
Applicants:
IOFFE, Valery Moiseevich [RU/RU]; RU
MAKSUTOV, Askhat Ibragimovich [RU/RU]; RU
Inventors:
IOFFE, Valery Moiseevich; RU
MAKSUTOV, Askhat Ibragimovich; RU
Common
Representative:
IOFFE, Valery Moiseevich; ul. Novogodnyaya, 16-16 Novosibirsk, 630064, RU
Priority Data:
9511934615.11.1995RU
Title (EN) VARICAP
(FR) CONDENSATEUR A TENSION COMMANDEE
Abstract:
(EN) The varicap comprises a semiconductor with ohmic contact on the surface of which is formed a p-n junction or Schottky barrier with another contact; the semiconductor takes the form of a film (2) on a substrate (1). The working region of the film defined by the expression 0 $m(F) x $m(F) Xmax, zl(x) $m(F) z $m(F) z2(x) has either a non-homogeneous (along x and y) distribution profile of dopant Ni(x, y), or a non-homogeneous (along x) film profile D(x), or a non-homogeneous distribution profile of dopant and film or, beneath the working region of the film, a substrate made from a semiconductor material of conductivity type opposite to that of the film and provided with a dopant profile which is non-homogeneous along x. The choice of the doping profile and film thickness is subject to the condition that the working region of the film or part of it should be completely depleted by basic charge carriers until breakthrough of the p-n junction or Schottky barrier (formed on one of the surfaces of the working region of the film), an external bias being applied to it as defined by the equation given in the application. The ohmic contact (3) with the film (2) takes the form of interconnected strips or a single strip.
(FR) Cette invention concerne un condensateur à tension commandée, lequel se compose d'un semi-conducteur comportant un contact ohmique à la surface duquel est formée une jonction p-n ou une barrière de Schottky ainsi qu'un autre contact. Le semi-conducteur se présente sous forme d'un film (2) se trouvant sur un substrat (1). La partie fonctionnelle du film (0$m(F)x$m(F)Xmax, zl(x)$m(F)z$m(F)z2(x)) peut présenter les configurations suivantes: un profil non uniforme (le long de x et de y) de répartition de dopant à base de Ni (x, y); un profil non uniforme (le long de x) de l'épaisseur du film D(x); ou encore, un profil non uniforme de répartition de dopant et de l'épaisseur du film. Dans une autre variante, un support fait d'un matériau semi-conducteur ayant un type de conductivité opposé à celui du film, et situé sous la partie fonctionnelle dudit film, possède un profil non uniforme le long de x en ce qui concerne le dopant. Les choix concernant le profil de dopage et l'épaisseur du film sont sujets à des conditions d'appauvrissement total de la partie fonctionnelle du film, ou d'une partie de celle-ci, par des porteurs de charges principaux, ceci jusqu'à ce que l'on assiste à la rupture de la jonction p-n ou de la barrière de Schottky formée sur l'une des surfaces de la partie fonctionnelle du film, lorsque ladite barrière est soumise à une polarisation externe définie par l'équation décrite dans la présente invention. Le contact ohmique (3) relié au film (2) se présente sous forme d'une bande ou deux bandes connectées entre elles.
Designated States: CN, JP, KR, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)