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1. (WO1997018587) SEMICONDUCTOR INTERLAYER STAGGERED CONTACT STRUCTURE
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Pub. No.: WO/1997/018587 International Application No.: PCT/US1996/018049
Publication Date: 22.05.1997 International Filing Date: 13.11.1996
Chapter 2 Demand Filed: 11.06.1997
IPC:
H01L 23/522 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
52
Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another
522
including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventors:
SHER, Joseph, C.; US
MA, Manny, K., F.,; US
CASPER, Stephen, L.; US
Agent:
VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402, US
Priority Data:
08/559,18413.11.1995US
Title (EN) SEMICONDUCTOR INTERLAYER STAGGERED CONTACT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEUR A CONTACTS EN ALTERNANCE, COMPORTANT UNE COUCHE DE LIAISON
Abstract:
(EN) A method and apparatus for increasing the number of contacts provided between two conductive layers separated by an insulator in a semiconductor integrated circuit chip is disclosed. In a first row of contacts, each contact (314) in the row is separated by a distance, L. A second row of contacts is formed parallel to the first row. Each contact (310, 312) in the second row is spaced a distance of L from other contacts in the row. However, the second row is staggered from the first row, such that each contact is halfway between adjacent contacts in the first row. Each contact in the second row is located a distance of L from the two closest contacts in the first row. Successive rows are formed in similar staggered manner.
(FR) L'invention porte sur un procédé et sur l'appareil correspondant permettant de multiplier le nombre de contacts ménagés entre deux couches conductrices séparées par un isolant dans une microplaquette à semi-conducteur à circuit intégré. Dans une première rangée de contacts, chaque contact (314) de la rangée est séparé par une distance L et, parallèlement à cette rangée, est constituée une seconde rangée de contacts, chacun (310, 312) étant séparé de l'autre par une distance de la valeur de L. La seconde rangée est, toutefois, décalée par rapport à la première de sorte que chaque contact est à mi-chemin entre des contacts contigus de la première rangée. Chaque contact de la seconde rangée est situé à une distance de la valeur de L des deux contacts les plus proches de la première rangée. Des rangées successives sont constituées en alternance, de manière similaire.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP0861503JPH11504765KR1019990067503AU1996076767