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1. (WO1997017704) METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC DETERMINATION OF THE REQUIRED HIGH VOLTAGE FOR PROGRAMMING/ERASING AN EEPROM
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Pub. No.: WO/1997/017704 International Application No.: PCT/DE1996/002099
Publication Date: 15.05.1997 International Filing Date: 04.11.1996
Chapter 2 Demand Filed: 27.05.1997
IPC:
G11C 16/30 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30
Power supply circuits
Applicants:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
SEDLAK, Holger [DE/DE]; DE (UsOnly)
VIEHMANN, Hans-Heinrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors:
SEDLAK, Holger; DE
VIEHMANN, Hans-Heinrich; DE
Priority Data:
195 42 029.210.11.1995DE
Title (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM SELBSTTÄTIGEN ERMITTELN DER NÖTIGEN HOCHSPANNUNG ZUM PROGRAMMIEREN/LÖSCHEN EINES EEPROMS
(EN) METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC DETERMINATION OF THE REQUIRED HIGH VOLTAGE FOR PROGRAMMING/ERASING AN EEPROM
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE DETERMINATION AUTOMATIQUE DE LA HAUTE TENSION REQUISE POUR PROGRAMMER/EFFACER UNE MEMOIRE EEPROM
Abstract:
(DE) Durch die erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, individuell für jeden elektrisch lösch- und programmierbaren Festwerthalbleiterspeicher (SP) die für ihn zum Löschen oder Programmieren nötige Hochspannung (Vpp) zu ermitteln und im Speicher (SP) selbst in einem dort vorgesehenen Bereich A abzuspeichern. Von dort ist diese ermittelte Hochspannung für jeden weiteren Lösch- bzw. Programmiervorgang abrufbar. Ausgehend von einem ersten Wert der Hochspannung zum Programmieren oder Löschen des Speichers und einem ersten Wert einer Lesespannung zum Überprüfen des Programmier- oder Löschvorgangs wird die günstigste Hochspannung durch sukzessive Veränderung entweder der Hochspannung oder der Lesespannung ermittelt.
(EN) The invention relates to a method and device for automatic determination of the required high voltage for programming/erasing an EEPROM. The present method renders it possible to determine individually the high voltage (Vpp) required to erase or program for each electrically erasable and programmable fixed-value semi-conductor memory (SP), and to store it in the memory (SP) itself in a region A provided therein. This determined high voltage can be retrieved from said region for any further erasing or programming. From a first value of the high voltage for programming or erasing the memory and a first value of a reading voltage for checking of programming or erasing, the most advantageous high voltage is determined by successively modifying either the high voltage or the reading voltage.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de déterminer individuellement la haute tension (Vpp) requise pour programmer ou effacer chaque mémoire morte à semi-conducteur (SP) programmable et effaçable électriquement, et de la mémoriser dans la mémoire (SP) elle-même dans une zone A réservée à cet effet. Cette haute tension déterminée peut être extraite de cette zone pour d'autres processus de programmation ou d'effacement. La haute tension la plus avantageuse est déterminée par modification successive de la haute tension ou de la tension de lecture, à partir d'une première valeur de la haute tension utilisée pour programmer ou effacer la mémoire et d'une première valeur d'une tension de lecture pour contrôler le processus de programmation ou d'effacement.
Designated States: CN, JP, KR, RU, UA, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
EP0860011RU02189083US6052306JPH11515129CN1202263KR1019990067410