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1. (WO1997015075) METALLIZATION OF BURIED CONTACT SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/015075    International Application No.:    PCT/AU1996/000647
Publication Date: 24.04.1997 International Filing Date: 14.10.1996
Chapter 2 Demand Filed:    16.05.1997    
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: UNISEARCH LIMITED [AU/AU]; 221-227 Anzac Parade, Kensington 2052, New South Wales (AU) (For All Designated States Except US).
HONSBERG, Christiana B [US/AU]; (AU) (For US Only).
GREEN, Martin, Andrew [AU/AU]; (AU) (For US Only).
WENHAM, Stuart, Ross [AU/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: HONSBERG, Christiana B; (AU).
GREEN, Martin, Andrew; (AU).
WENHAM, Stuart, Ross; (AU)
Agent: F.B. RICE & CO.; 28A Montague Street, Balmain, NSW 2041 (AU)
Priority Data:
PN 6063 19.10.1995 AU
Title (EN) METALLIZATION OF BURIED CONTACT SOLAR CELLS
(FR) METALLISATION DE PHOTOPILES A CONTACT ENTERRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention makes use of the geometry of the grooves (51) formed in a substrate, to allow a dielectric layer (27) to be deposited with some regions (54) of the grooves having a substantially thinner layer deposited than the top surface of the substrate. These regions (54) of reduced thickness dielectric within the grooves are then prematurely etched by an appropriate chemical (or other) etchant capable of controllably etching away the dielectric layer (27), with the result that in these regions the silicon surface can be exposed and able to be plated by a metallization while the top surface remains protected by the dielectric material. The remaining dielectric material can optionally be required to act as an anti-reflective coating. The invention can be used in making buried contact solar cells.
(FR)Selon la présente invention, la géométrie de rainures (51) formées dans un substrat est utilisée pour permettre le dépôt d'une couche diélectrique (27) telle que certaines régions (54) des rainures soient recouvertes d'une couche sensiblement plus fine que la surface supérieure du substrat. On procède ensuite à l'attaque chimique précoce de ces régions (54) d'épaisseur réduite de la couche de diélectrique situées à l'intérieur des rainures, au moyen d'un agent chimique (ou autre) d'attaque susceptible de provoquer une attaque chimique régulée de la couche diélectrique (27), le résultat étant que dans ces régions, la surface de silicium peut être exposée et plaquée par métallisation alors que la surface supérieure reste protégée par la matière diélectrique. La matière diélectrique restante peut éventuellement être amenée à servir de revêtement anti-réfléchissant. Cette invention peut servir à la fabrication de photopiles à contact enterré.
Designated States: AU, CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)