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1. (WO1997015074) METHOD AND DEVICE FOR DETECTING END POINT OF PLASMA TREATMENT, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/015074    International Application No.:    PCT/JP1996/003042
Publication Date: 24.04.1997 International Filing Date: 21.10.1996
Chapter 2 Demand Filed:    20.11.1996    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKATA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NINOMIYA, Takanori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKATA, Toshihiko; (JP).
NINOMIYA, Takanori; (JP)
Agent: OGAWA, Katsuo; Hitachi, Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Priority Data:
7/272318 20.10.1995 JP
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR DETECTING END POINT OF PLASMA TREATMENT, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DETECTER LA FIN D'UN TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCEDE ET DISPOSITIF POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)The wavelength components (27) of an active species are extracted from the light (24) emitted from a plasma, and only the frequency components synchronous with the high-frequency power for plasma excitation are extracted by means of a synchronous detection circuit (30) or the like, in order to allow the device to always stably detect the end point of plasma treatment with high accuracy without receiving any influence from the very fine pattern to be treated and disturbance. The progress of plasma treatment is recognized more accurately and the signal change at the end point is clear and the end point of plasma treatment of a very small opening pattern is detected with high accuracy.
(FR)Les composants (27) à différentes longueurs d'onde d'une substance active sont extraites de la lumière (24) émise par un plasma et seuls les composants haute-fréquence synchrones avec le courant haute fréquence d'excitation du plasma sont extraits par un circuit de détection synchrone (30) ou similaire, afin de permettre au dispositif de détecter, d'une manière stable, la fin d'un traitement par plasma avec une très grande précision, sans influence du motif très fin à traiter et des perturbations. L'évolution du traitement par plasma est suivie d'une manière plus précise et le changement de signal à la fin du traitement est clair, ce qui permet de détecter, avec beaucoup de précision et une très faible marge d'erreur, la fin d'un traitement par plasma.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)