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1. (WO1997015072) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN IMPLANTATION STEP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/015072    International Application No.:    PCT/SE1996/001206
Publication Date: 24.04.1997 International Filing Date: 27.09.1996
Chapter 2 Demand Filed:    24.04.1997    
IPC:
H01L 21/04 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LIMITED [CH/CH]; P.O. Box 8131, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
HARRIS, Christopher [GB/SE]; (SE) (For US Only).
ROTTNER, Kurt [DE/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: HARRIS, Christopher; (SE).
ROTTNER, Kurt; (SE)
Agent: BJERKÉN, Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
9503631-5 18.10.1995 SE
Title (EN) A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN IMPLANTATION STEP
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, COMPRENANT UNE ETAPE D'IMPLANTATION
Abstract: front page image
(EN)A method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer (2) of SiC comprises at least the steps of applying an insulating layer (1) on said semiconductor layer, implantation of an impurity dopant into said semiconductor layer and annealing this layer at such a high temperature that the implanted impurities are activated. Said insultating layer is applied before and maintained on said semiconductor layer during said annealing step. A material having AlN as major component is applied on said semiconductor layer as said insulating layer.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur comportant une couche semi-conductrice (2) de SiC, lequel procédé consiste au moins à appliquer une couche d'isolation (1) sur ladite couche semi-conductrice, à implanter un dopant d'impuretés dans ladite couche semi-conductrice et à recuire cette couche à une température suffisamment élevée pour que les impuretés implantées soient activées. Cette couche d'isolation est appliquée sur la couche semi-conductrice avant l'étape de recuit, et maintenue sur cette dernière tout au long cette même étape. Un matériau comportant du AlN en qualité de composant principal, est ensuite appliqué sur la couche semi-conductrice de manière à former ladite couche isolante.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)