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1. (WO1997013885) WIRING FILM, SPUTTER TARGET FOR FORMING THE WIRING FILM AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/013885    International Application No.:    PCT/JP1996/002961
Publication Date: 17.04.1997 International Filing Date: 14.10.1996
Chapter 2 Demand Filed:    09.04.1997    
IPC:
C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/16 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 210 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIGAMI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Koichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NITTA, Akihisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MAKi, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAGI, Noriaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ISHIGAMI, Takashi; (JP).
WATANABE, Koichi; (JP).
NITTA, Akihisa; (JP).
MAKi, Toshihiro; (JP).
YAGI, Noriaki; (JP)
Agent: SUYAMA, Saichi; Kandahigashiyama Building, 1, Kandatacho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP)
Priority Data:
7/264472 12.10.1995 JP
Title (EN) WIRING FILM, SPUTTER TARGET FOR FORMING THE WIRING FILM AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME
(FR) FILM DE CABLAGE, CIBLE DE PULVERISATION PAR BOMBARDEMENT IONIQUE DESTINEE A LA FORMATION DE CE FILM ET COMPOSANT ELECTRONIQUE COMPORTANT CE FILM
Abstract: front page image
(EN)A wiring film comprising 0.001 to 30 atm % of a first element capable of constituting an intermetallic compound of aluminum and/or having a higher standard electrode potential than aluminum, for example, and of Y, Sc, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Th, Sr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Co, Ni, Pd, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Cd, Si, Pb and B; and any of C, O, N and H in a proportion of 0.01 atmppm to 50 atm % of the first element, with the balance comprising substantially Al. In addition to having low resistance, such an Al wiring film can prevent the occurrence of hillocks and the electrochemical reaction with an ITO electrode. The wiring film can be obtained by sputtering in a dust-free manner by using a sputter target having a similar composition.
(FR)Cette invention concerne un film de câblage comprenant un pourcentage atomique de 0,001 à 30 d'un premier élément capable de former un composé intermétallique d'aluminium et/ou ayant un potentiel d'électrode d'un standard supérieur à celui de l'aluminium, par exemple, et de Y, Sc, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Er, Th, Sr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Co, Ni, Pd, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Cd, Si, Pb et B. Ce film comprend également et indifféremment du C, O, N et H, ceci dans une proportion allant de 0,01 parties atomiques par million à un pourcentage atomique de 50 par rapport au premier élément, le restant se composant essentiellement d'aluminium. Outre sa faible résistance, ce film de câblage à base d'Al permet d'éviter la formation de monticules et les réactions électrochimiques avec une électrode ITO. Ce film de câblage peut être obtenu par une pulvérisation par bombardement ionique et sans poussière, ceci en utilisant une cible de pulvérisation ayant une composition similaire.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)