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1. (WO1997013012) A METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING OBJECTS AND A DEVICE FOR SUCH A GROWTH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/013012    International Application No.:    PCT/SE1996/001231
Publication Date: 10.04.1997 International Filing Date: 02.10.1996
Chapter 2 Demand Filed:    08.04.1997    
IPC:
C30B 23/02 (2006.01)
Applicants: ABB RESEARCH LTD. [CH/CH]; P.O. Box 8131, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
OKMETIC LTD. [FI/FI]; Sinimäentie 12, P.O. Box 44, FIN-02631 Espoo (FI) (For All Designated States Except US).
KORDINA, Olle [SE/SE]; (SE) (For US Only).
HALLIN, Christer [SE/SE]; (SE) (For US Only).
JANZÉN, Erik [SE/SE]; (SE) (For US Only).
VEHANEN, Asko [FI/FI]; (FI) (For US Only).
YAKIMOVA, Rositza [BG/SE]; (SE) (For US Only).
TUOMINEN, Marko [FI/SE]; (SE) (For US Only)
Inventors: KORDINA, Olle; (SE).
HALLIN, Christer; (SE).
JANZÉN, Erik; (SE).
VEHANEN, Asko; (FI).
YAKIMOVA, Rositza; (SE).
TUOMINEN, Marko; (SE)
Agent: BJERKÉN Håkan; Bjerkéns Patentbyrå KB, P.O. Box 1274, S-801 37 Gävle (SE)
Priority Data:
9503427-8 04.10.1995 SE
Title (EN) A METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING OBJECTS AND A DEVICE FOR SUCH A GROWTH
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS ET DISPOSITIF PERMETTANT DE REALISER CETTE CROISSANCE
Abstract: front page image
(EN)In a method for epitaxially growing objects of SiC, a Group III-nitride or alloys thereof on a substrate (13) received in a susceptor (7) having circumferential walls (8) these walls and by that the substrate and a source material (24) for the growth are heated above a temperature level from which sublimation of the material grown starts to increase considerably. The carrier gas flow is fed into the susceptor towards the substrate for carrying said source material to the substrate for said growth. At least a part (24) of said source material is provided in a solid state as the material grown in a container comprising the susceptor (7), and said source material part is by heating in said container brought to a vapour state and carried in the vapour state by the carrier gas flow to the substrate for said growth.
(FR)Cette invention concerne un procédé permettant de réaliser la croissance épitaxiale d'objets faits de SiC, d'un nitrure du Groupe III, ou d'un alliage de ces derniers, sur un substrat (13) se trouvant dans un suscepteur (7) ayant des parois circulaires (8). Ces parois ainsi que le substrat et une matière de base (24) pour la croissance, sont chauffés à une température supérieure à celle à partir de laquelle la sublimation de la matière qui s'est développée commence à s'accroître fortement. Le flux de gaz porteur est introduit dans le suscepteur et dirigé vers le substrat afin de transporter vers ce dernier la matière de base servant à la croissance. Une partie (24) au moins de la matière de base se présente en phase solide comme la matière qui s'est développée dans le récipient renfermant le suscepteur (7). Cette partie de la matière de base est ensuite portée en phase vapeur par chauffage dans ledit récipient, puis envoyée vers le substrat en phase vapeur et à l'aide du flux de gaz porteur afin de réaliser la croissance.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)