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1. (WO1997011482) REMOVAL OF HALOGENS AND PHOTORESIST FROM WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/011482    International Application No.:    PCT/US1996/014054
Publication Date: 27.03.1997 International Filing Date: 03.09.1996
Chapter 2 Demand Filed:    04.04.1997    
IPC:
G03F 7/42 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: LSI LOGIC CORPORATION [US/US]; 1551 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: HEINE, David; (US).
CATABAY, Wilbur, G.; (US)
Agent: SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Priority Data:
524,296 05.09.1995 US
Title (EN) REMOVAL OF HALOGENS AND PHOTORESIST FROM WAFERS
(FR) ELIMINATION D'HALOGENES ET DE VERNIS PHOTOSENSIBLE DE TRANCHES
Abstract: front page image
(EN)Method and apparatus for removal of remaining photoresist material and halogen residues (9) after etching from a polysilicon or metallized wafer (15, 35, 55). Exposed portions of the wafer substrate (8), not covered by photoresist material, are etched by exposing the wafer to a first, halogen-containing plasma (PS1), such as HBr or C¿m?H¿n?Br¿2m+2-n'? for a first selected time interval. The wafer is exposed to a second plasma (PS2), containing H¿2?O as the primary constituent, for a selected second time interval. Optionally, this second plasma may also contain O¿2?, H¿2?, OH and/or H¿2?O¿2? as another constituent. Hydrogen radicals and other radicals interact with the remaining photoresist material and with any free halogen and halogen-containing molecules on the wafer to produce reaction products that are removed from the wafer. Each plasma (22, 44, 62, 64) is maintained as an approximately planar body by imposing a time-varying magnetic field and, optionally, a time-varying electrical field on the plasma in directions approximately perpendicular to an exposed surface of the wafer. The processes of etching and of removal of photoresist and halogen residues may be carried out in two separate chambers (11, 31) or in a single chamber (51), with the wafer being maintained in different temperature ranges for the two processes.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour éliminer les traces résiduelles (9) de vernis photosensible et d'halogènes après l'attaque d'une tranche de polysilicium ou d'une tranche métallisée (15, 35, 55). Les portions exposées de la tranche (8) non couvertes par le vernis photosensible sont soumises à une attaque par un premier plasma contenant un halogène, tel que HBr ou C¿m?H¿n?Br¿2m+2-n'? pendant une première durée déterminée. La tranche est ensuite exposée à un second plasma contenant du H¿2?O comme constituant primaire, pendant une seconde durée déterminée. Ce second plasma peut également contenir O¿2?, H¿2?, OH et/ou H¿2?O¿2? comme autres constituants. Les radicaux hydrogène et les autres radicaux réagissent avec le vernis photosensible résiduel et avec tout halogène libre ou tout composé halogéné résiduel sur la tranche, avec formation de produits qui sont éliminés de la tranche. Chaque plasma (22, 44, 62, 64) est maintenu sous la forme d'un corps approximativement plan, en lui imposant un champ magnétique variable dans le temps et éventuellement un champ électrique variable dans le temps, dans des directions approximativement perpendiculaires à la surface traitée de la tranche. Le procédé d'attaque et d'élimination des résidus halogénés et de résidus de vernis photosensible peut s'effectuer dans deux chambres séparées (11, 31) ou dans une chambre unique (51). La tranche est à des températures qui sont différentes dans les deux opérations.
Designated States: JP.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)