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1. (WO1997011481) DOPING PROCESS FOR PRODUCING HOMOJUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/011481    International Application No.:    PCT/DE1996/001598
Publication Date: 27.03.1997 International Filing Date: 28.08.1996
Chapter 2 Demand Filed:    03.04.1997    
IPC:
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/32 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54, D-80636 München (DE) (For All Designated States Except US).
SCHINDLER, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHINDLER, Roland; (DE)
Agent: MÜNICH, Wilhelm; Münich, Rösler, Steinmann, Wilhelm-Mayr-Strasse 11, D-80689 München (DE)
Priority Data:
195 34 574.6 18.09.1995 DE
Title (DE) DOTIERVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOMOÜBERGÄNGEN IN HALBLEITERSUBSTRATEN
(EN) DOPING PROCESS FOR PRODUCING HOMOJUNCTIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE DOPAGE POUR LA PRODUCTION D'HOMOJONCTIONS DANS DES SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Dotierverfahren zur Herstellung von Homoübergängen in Halbleitersubstraten, in die im Wege der Diffusion Dotierstoffe eindringen, mit einer Lichtquelle, deren Emissionsspektrum UV-Anteile enthält und die auf die Halbleitersubstratoberfläche gerichtet ist. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß zwischen dem zu dotierenden Halbleitersubstrat und der Lichtquelle eine Maske eingebracht wird, die in Abhängigkeit der zu dotierenden Gebiete gleicher Dotierstoffkonzentration unterschiedlich dick ausgeführte Maskenbereiche bis hin zu durchgehenden Maskenlöchern aufweist, daß zwischen der Maske und dem zu dotierenden Halbleitersubstrat Dotierstoffatome eingebracht werden, und daß zur Diffusionsdotierung des Halbleitersubstrats mit Rapid Thermal Processing die Maskenoberfläche von der Lichtquelleneinheit bestrahlt wird.
(EN)The invention relates to a doping process for producing homojunctions in semiconductor substrates, into which dopants penetrate by diffusion, with a light source which has an emission spectrum containing ultra-violet components and which is directed towards the semiconductor substrate surface. The invention is characterised in that a mask is inserted between the semiconductor substrate to be doped and the light source and, depending on the areas of similar dopant concentration to be doped, has areas of varying thickness as well as through openings, that dopant atoms are inserted between the mask and the semiconductor substrate to be doped, and that for the purpose of diffusion doping the semiconductor substrate the mask surface is irradiated by the light source unit using rapid thermal processing.
(FR)L'invention concerne un procédé de dopage permettant de produire des homojonctions dans des substrats semi-conducteurs, substrats dans lesquels les matières dopantes pénètrent par diffusion. A cet effet, on utilise une source de lumière dont le spectre d'émission contient des composantes ultraviolettes et qui est dirigée vers la surface du substrat semi-conducteur. L'invention se caractérise en ce qu'un masque est placé entre le substrat semi-conducteur à doper et la source de lumière, masque qui, en fonction des zones à doper d'une concentration de dopant similaire, comporte des régions de différentes épaisseurs ainsi que des ouvertures traversantes, en ce que les atomes de dopant sont introduits entre le masque et le substrat semi-conducteur à doper, et en ce que, pour le dopage par diffusion du substrat semi-conducteur, on irradie la surface du masque au moyen de la source de lumière selon un traitement thermique rapide.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)