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1. (WO1997011207) DRY ETCHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/011207    International Application No.:    PCT/JP1995/001846
Publication Date: 27.03.1997 International Filing Date: 18.09.1995
Chapter 2 Demand Filed:    01.11.1995    
IPC:
H01L 21/30 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (For All Designated States Except US).
KOFUJI, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUJIMOTO, Kazunori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOFUJI, Naoyuki; (JP).
TSUJIMOTO, Kazunori; (JP)
Agent: OGAWA, Katsuo; Kabushiki Kaisya Hitachi Seisakusyo, 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Priority Data:
Title (EN) DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE A SEC
Abstract: front page image
(EN)An etching method such that the selectivity of etching with respect to the mask and the substrate is not impaired when the bias voltage applied to a sample is boosted to improve the etching rate. A voltage having a positive pulse waveform is applied to the sample as the bias voltage and the interval of the pulse waveform is controlled to a prescribed value. In addition, a plasma is produced by applying a voltage having a positive waveform as the bias voltage and adding a gas containing such light elements as H, He, etc., to a process gas. Since the energy distribution of ions made incident on the sample can be made narrow, the selectivity of etching of the substrate material and the mask material can be improved while the high etching rate and anisotropy of the etching are maintained.
(FR)Procédé d'attaque à sec dans lequel la sélectivité de l'attaque par rapport au masque et au substrat ne diminue pas quand on élève la tension de polarisation appliquée à un échantillon pour améliorer la vitesse d'attaque. On applique à l'échantillon, comme tension de polarisation, une tension ayant un signal impulsionnel positif et on règle l'intervalle du signal impulsionnel sur une valeur prédéterminée. En outre, on produit un plasma en appliquant, comme tension de polarisation, une tension ayant un signal impulsionnel positif et on ajoute, comme gaz de traitement, un gaz contenant des éléments légers tels que H, He, etc. On peut réduire la distribution de l'énergie des ions incidents au niveau de l'échantillon, ce qui permet d'améliorer la sélectivité de l'attaque du matériau du substrat et du matériau du masque, tout en conservant la rapidité et l'anisotropie de l'attaque.
Designated States: CN, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)