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1. (WO1997009819) LIGHT-DETECTION SYSTEM WITH PROGRAMMABLE OFFSET CURRENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/009819    International Application No.:    PCT/EP1996/003851
Publication Date: 13.03.1997 International Filing Date: 03.09.1996
Chapter 2 Demand Filed:    10.02.1997    
IPC:
G01J 1/44 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/33 (2006.01)
Applicants: LEICA AG [CH/CH]; Postfach, CH-9435 Heerbrugg (CH) (For All Designated States Except US).
SEITZ, Peter [CH/CH]; (CH) (For US Only).
VIETZE, Oliver [CH/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: SEITZ, Peter; (CH).
VIETZE, Oliver; (CH)
Priority Data:
195 33 061.7 07.09.1995 DE
Title (DE) LICHTERFASSUNGSEINRICHTUNG MIT PROGRAMMIERBAREM OFFSET-STROM
(EN) LIGHT-DETECTION SYSTEM WITH PROGRAMMABLE OFFSET CURRENT
(FR) DISPOSITIF DE DETECTION DE LUMIERE A COURANT DE DECALAGE PROGRAMMABLE
Abstract: front page image
(DE)Es ist eine photoelektrische Halbleiter-Lichterfassungseinrichtung mit programmierbarer Dynamik beschrieben, die ein photoelektrisches Halbleiter-Photoelement, vorzugsweise eine Photodiode, aufweist, durch die auftreffende Lichtintensität in einen proportionalen Photostrom umwandelbar ist. Die Drain eines ersten, in Sättigung betriebenen MOS-Feldeffekttransistors des entsprechenden Kanal-Typs ist mit dem Halbleiter-Photoelement, d.h. der Kathode bzw. Anode der Photodiode, gekoppelt und seine Source ist auf einem konstanten Potential gehalten. Ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor bringt eine vorbestimmte, veränderbare Ladungsmenge auf das Gate des ersten MOS-Feldtransistors auf. An dem Gate des ersten MOS-Feldeffekttransistors ist eine Kapazität vorgesehen. Mit einer Integrationseinrichtung ist die Differenz aus Offset-Strom und Photostrom integrierbar. Ein dritter MOS-Feldeffekttransistor ist als Schalter betreibbar und mit ihm kann die Integrationseinrichtung ausgelesen und wieder auf einen bestimmten Wert zurückgesetzt werden.
(EN)The invention concerns a photoelectric semiconductor light-detection system with programmable dynamic performance, the system comprising a semiconductor photocell, preferably a photodiode, by means of which the impinging light intensity can be converted into a proportional photoelectric current. The drain of a first MOS FET of corresponding channel-type operated to saturation is coupled to the semiconductor photocell, i.e. the cathode or anode of the photodiode, and its source is maintained at a constant potential. A second MOS FET applies a predetermined variable charge amount to the gate of the first MOS FET. A capacitor is provided at the gate of the first MOS FET. The difference between the offset current and the photoelectric current can be integrated by means of an integration device. A third MOS FET can be operated as a switch which reads the integration device and is reset at a given value.
(FR)L'invention concerne un dispositif photoélectrique de détection de lumière à dynamique programmable, qui comporte un élément photoélectrique à semi-conducteur, de préférence une photodiode, grâce à laquelle l'intensité lumineuse incidente peut être transformée en un courant photoélectrique proportionnel. Le drain d'un premier transistor MOS du type de canal correspondant, utilisé en mode saturation, est couplé à l'élément photoélectrique à semi-conducteur, c'est-à-dire à la cathode ou à l'anode de la photodiode et sa source est maintenue à un potentiel constant. Un deuxième transistor MOS applique un volume de charge modulable prédéfini sur la grille du premier transistor MOS. Il est prévu un condensateur au niveau de la grille du premier transistor MOS. Un dispositif d'intégration permet d'intégrer la différence entre le courant de décalage et le courant photoélectrique. Un troisième transistor MOS peut être utilisé comme commutateur et permet la lecture du dispositif d'intégration et sa remise à une valeur déterminée.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)