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1. (WO1997009731) FIELD EMITTER DEVICE, AND VEIL PROCESS FOR THE FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/009731    International Application No.:    PCT/US1996/013330
Publication Date: 13.03.1997 International Filing Date: 19.08.1996
Chapter 2 Demand Filed:    24.03.1997    
IPC:
H01J 3/02 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: FED CORPORATION [US/US]; Hudson Valley Research Park, 1580 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventors: JONES, Gary, W.; (US).
ZIMMERMAN, Steven, M.; (US).
SILVERNAIL, Jeffrey, A.; (US).
JONES, Susan, K., Schwartz; (US)
Agent: COYNE, Patrick, J.; Collier, Shannon, Rill and Scott, Suite 400, 3050 K Street N.W., Washington, DC 20007 (US)
Priority Data:
519,122 24.08.1995 US
Title (EN) FIELD EMITTER DEVICE, AND VEIL PROCESS FOR THE FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION A VOILE
Abstract: front page image
(EN)A field emitter device formed by a veil process wherein a protective layer including a release layer is deposited on a gate electrode layer (62) for the device, the protective layer overlaying the circumscribing peripheral edge of the opening of the gate electrode layer (62) to protect the edge of the gate electrode layer (62) during etching of a field emitter cavity (72) in a dielectric material layer (30) on a substrate (12) and during the formation of a field emitter element (40) in the cavity by depositing a field emitter material through the opening (72). The protective layer is readily removed subsequent to completion of the cavity etching formation steps, to yield the field emitter device. The field emission device further includes a current limiter composition (14) for permitting high frequency emission of electrons from the field emitter element (40) at low turn-on voltage.
(FR)La présente invention concerne un dispositif émetteur de champ formé en utilisant un procédé à voile consistant à déposer une couche de protection comportant une couche de décollage sur la couche d'électrode de grille (62) du dispositif. La couche de protection recouvre la bordure périphérique circonscrivant l'ouverture de la couche (62) d'électrode de grille de façon à protéger la bordure de cette couche (62), d'abord pendant la phase d'attaque chimique de la cavité émetteur (72) dans la couche de matière diélectrique (30) sur le substrat, puis pendant la phase de formation de l'élément émetteur de champ (40) dans la cavité, par dépôt du matériau émetteur de champ au travers de l'ouverture (72). La couche de protection se retire facilement après les opérations d'attaque chimique de la cavité et de formation de l'émetteur, dégageant ainsi le dispositif émetteur de champ. Ce dispositif émetteur de champ comporte également une composition de limitation de courant (14) assurant une émission haute fréquence des électrons à partir de l'élément émetteur de champ (40) à basse tension de commutation.
Designated States: CA, CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)