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1. (WO1997008734) PLASMA REACTOR HAVING AN INDUCTIVE ANTENNA COUPLING POWER THROUGH A PARALLEL PLATE ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/008734    International Application No.:    PCT/US1996/014157
Publication Date: 06.03.1997 International Filing Date: 28.08.1996
Chapter 2 Demand Filed:    27.03.1997    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; Patent Counsel, P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: COLLINS, Kenneth; (US).
RICE, Michael; (US).
TROW, John; (US).
BUCHBERGER, Douglas; (US).
ASKARIAN, Eric; (US).
TSUI, Joshua; (US).
GROECHEL, David; (US).
HUNG, Raymond; (US)
Agent: SGARBOSSA, Pete; Applied Materials, Inc., P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Priority Data:
08/521,668 31.08.1995 US
08/597,577 02.02.1996 US
Title (EN) PLASMA REACTOR HAVING AN INDUCTIVE ANTENNA COUPLING POWER THROUGH A PARALLEL PLATE ELECTRODE
(FR) REACTEUR AU PLASMA DOTE D'UNE ANTENNE INDUCTIVE PERMETTANT DE COUPLER LE COURANT A TRAVERS UNE ELECTRODE SOUS FORME DE PLAQUE PARALLELE
Abstract: front page image
(EN)The invention is embodied by a plasma reactor for processing a workpiece, including a reactor enclosure (105) defining a processing chamber (100), a semiconductor window (110), a base (120) within the chamber (100) for supporting the workpiece (125) during processing thereof, a gas inlet system (137) for admitting a plasma precursor gas into the chamber (100), and an inductive antenna (145) adjacent a side of the semiconductor window (110) opposite the base (120) for coupling power into the interior of the chamber (100) through the semiconductor window electrode (110).
(FR)Réacteur au plasma pour usinage d'une pièce, qui comporte une enceinte (105) de réacteur définissant une chambre d'usinage (100), une fenêtre à semi-conducteurs (110), une base (120) placée à l'intérieur de la chambre et destinée à soutenir la pièce (125) pendant l'usinage, un système d'arrivée de gaz (137) permettant d'introduire un gaz précurseur de plasma dans la chambre (100) et une antenne inductive (145) adjacente à une face de la fenêtre à semi-conducteurs (110), située à l'opposé de la base (120) et destinée à coupler le courant pour l'introduire à l'intérieur de la chambre (100) à travers l'électrode (110) de fenêtre à semi-conducteurs.
Designated States: JP, KP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)