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1. (WO1997006586) METHOD AND APPARATUS FOR PREDICTING SEMICONDUCTOR LASER FAILURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/006586    International Application No.:    PCT/US1996/013064
Publication Date: 20.02.1997 International Filing Date: 07.08.1996
Chapter 2 Demand Filed:    10.03.1997    
IPC:
H01S 5/068 (2006.01)
Applicants: DITECH CORPORATION [US/US]; 660 National Avenue, Mountain View, CA 94043 (US)
Inventors: JABR, Salim, N.; (US)
Agent: SHERIDAN, James, A.; Flehr, Hohbach, Test, Albritton & Herbert, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4187 (US).
CRISMAN, Douglas, J.; Flehr, Hohbach, Test, Albritton & Herbert, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4187 (US)
Priority Data:
08/513,361 10.08.1995 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PREDICTING SEMICONDUCTOR LASER FAILURE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE PREVOIR UNE DEFAILLANCE DE LASERS A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus are disclosed for predicting the failure of semiconductor lasers. To predict the failure of a particular semiconductor laser (170), operational characteristics that are predictive of a laser's health are computed while the laser (170) is in use. This is done by modulating the injection current of the laser and observing changes in laser parameters such as output power and junction voltage. Modulating the injection current with a modulation period that is substantially less than the relaxation time of the dopant ions in a solid state laser does not substantially affect the gain of the laser (170). The current modulation and laser parameter sampling are controlled by a microprocessor (212) via a control interface (202). During any particular modulation cycle, the microprocessor (212) stores multiple parameters in a random access memory (RAM) (216). The microprocessor (212) computes the laser characteristics and compares them to the beginning-of-life data (291) stored in a read only memory (ROM). If the laser characteristics are out of range with respect to the beginning-of-life data (291) the microprocessor (212) outputs an alarm via a communication port (218).
(FR)On décrit un procédé ainsi qu'un appareil permettant de prévoir une défaillance de lasers à semi-conducteur. Afin de prévoir la défaillance d'un laser (170) particulier à semi-conducteur, des caractéristiques opérationnelles, révélatrices de l'état de ce laser, sont calculées lors de l'utilisation (170) de celui-ci. On peut effectuer ces calculs en modulant le courant d'injection du laser et en observant des changements survenant dans des paramètres du laser, tels que la puissance de sortie et la tension de branchement. Le fait de moduler le courant d'injection à l'aide d'une période de modulation sensiblement inférieure au temps de relaxation des ions dopants dans un laser à semi-conducteurs n'affecte sensiblement pas le gain du laser (170). On commande la modulation de courant et l'échantillonnage des paramètres du laser à l'aide d'un microprocesseur (212), via une interface (202) de commande. Lors de tout cycle particulier de modulation, le microprocesseur (212) conserve de multiples paramètres dans une mémoire vive (RAM) (216), puis il calcule les caractéristiques du laser et compare celles-ci aux données (291) du début de vie de celui-ci, lesquelles sont stockées dans une mémoire morte (ROM). Si les caractéristiques du laser se situent en dehors d'une gamme par rapport aux données (291) de début de vie, le microprocesseur (212) émet un signal d'alarme via un port (218) de communication.
Designated States: AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)