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1. (WO1997006551) HIGH-LUMINANCE-LOW-TEMPERATURE MASK FOR CRTS AND FABRICATION OF A SCREEN USING THE MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/006551    International Application No.:    PCT/KR1996/000129
Publication Date: 20.02.1997 International Filing Date: 05.08.1996
IPC:
H01J 9/227 (2006.01), H01J 29/81 (2006.01)
Applicants: ORION ELECTRIC CO., LTD. [KR/KR]; 165, Gondgan-dong, Gumi-si, Kyungsangbuk-do 730-030 (KR) (For All Designated States Except US).
YOON, Sang, Youl [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YOON, Sang, Youl; (KR)
Agent: LEE, Young; 735-29 Yeoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
1995/20103 04.08.1995 KR
1995/24025 04.08.1995 KR
Title (EN) HIGH-LUMINANCE-LOW-TEMPERATURE MASK FOR CRTS AND FABRICATION OF A SCREEN USING THE MASK
(FR) MASQUE PERFORE A HAUTE LUMINESCENCE ET A FAIBLE ECHAUFFEMENT, POUR TUBES CATHODIQUES, FABRICATION D'UN ECRAN A L'AIDE DE CE MASQUE
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a shadow mask (50), a cathode ray tube having the above shadow mask and a method for manufacturing a screen using the shadow mask. The shadow mask has a first and a second thin metal plate (51, 53). A first and a second voltage (V1, V2) are applied to the first and the second thin metal plates and concentrate the electron beams passing through the first and the second electron beam passing holes respectively formed in the metal plates. The screen is manufactured with a controlled size of a developed area by controlling time using the shadow mask and an electrophotographical process.
(FR)L'invention concerne un masque perforé (50), un tube cathodique ayant ce masque et un procédé de fabrication d'un écran utilisant ce masque. Le masque perforé a des première et seconde plaques métalliques minces (51, 53). Des première et seconde tensions (V1, V2) sont appliquées aux première et seconde plaques métalliques minces et elles concentrent les faisceaux d'électrons traversant les premier et second trous de passage pour les faisceaux d'électrons, formés dans les plaques métalliques respectives. L'écran est réalisé avec une zone de développement dont la taille est contrôlée en ajustant le temps dans un procédé électrophotographique utilisant le masque perforé.
Designated States: CN, JP, MX, US, VN.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)