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1. (WO1997005659) FLAT PANEL DETECTOR FOR RADIATION IMAGING WITH REDUCED TRAPPED CHARGES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/005659    International Application No.:    PCT/CA1995/000460
Publication Date: 13.02.1997 International Filing Date: 31.07.1995
Chapter 2 Demand Filed:    12.02.1997    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: LITTON SYSTEMS CANADA LIMITED [CA/CA]; 28 City View Drive, Etobicoke, Ontario M9W 5A7 (CA) (For All Designated States Except US).
SUNNYBROOK HOSPITAL [CA/CA]; 2075 Bayview Avenue, North York, Ontario M4N 3M5 (CA) (For All Designated States Except US).
WAECHTER, David [CA/CA]; (CA) (For US Only).
ZHAO, Wei [CA/CA]; (CA) (For US Only).
ROWLANDS, John [CA/CA]; (CA) (For US Only).
HUANG, Zhong, Shou [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: WAECHTER, David; (CA).
ZHAO, Wei; (CA).
ROWLANDS, John; (CA).
HUANG, Zhong, Shou; (CA)
Agent: PERRY, Stephen, J.; Sim & McBurney, Suite 701, 330 University Avenue, Toronto, Ontario M5G 1R7 (CA)
Priority Data:
Title (EN) FLAT PANEL DETECTOR FOR RADIATION IMAGING WITH REDUCED TRAPPED CHARGES
(FR) DETECTEUR DE PANNEAU DE RADIOGRAPHIE A CHARGES-PIEGES REDUITES
Abstract: front page image
(EN)A flat panel detector (20) for radiation imaging includes an array of transistor switches (38) each of which is associated with a pixel electrode (36). A radiation transducer (C¿SE?) including a top electrode (72) and a radiation conversion layer (70) is disposed over the array. Means are positioned over dead zones between adjacent pixel electrodes to inhibit the accumulation of charge in the radiation conversion layer at the dead zones when the top electrode is biased and the flat panel detector is exposed to radiation. In one embodiment, the inhibiting means is constituted by islands (64) formed of semiconductor material between the array and the radiation transducer. Each island is positioned over a dead zone between adjacent pixel electrodes and contacts a pixel electrode to allow charges accumulated on the islands to drift to the pixel electrodes.
(FR)Détecteur de panneau (20) de radiographie comprenant un ensemble de commutateurs à transistor (38) dont chacun est associé à une électrode de pixel (36). Un transducteur de rayonnement (C¿SE?) comprenant une électrode supérieure (72) et une couche de conversion de rayonnement (70) est placé sur l'ensemble. Des dispositifs sont placés sur les zones mortes comprises entre les électrodes de pixels contiguës pour empêcher l'accumulation de charges dans la couche de conversion de rayonnement au niveau de ces zones mortes lorsque l'électrode supérieure est excitée et que le détecteur de panneau est exposé au rayonnement. Selon l'un des modes de réalisation, le dispositif inhibiteur consiste en une série d'ilôts (64) constitués d'un matériau semiconducteur placé entre l'ensemble et le transducteur de rayonnement. Chaque ilôt est positionné au-dessus d'une zone morte entre les électrodes de pixels contiguës et reste au contact de l'électrode de pixels pour permettre aux charges accumulées sur les îlots de dériver en direction de ces électrodes.
Designated States: CA, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)