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1. (WO1997004509) SEMICONDUCTOR LASER CHIP AND INFRARED EMITTER COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1997/004509    International Application No.:    PCT/DE1996/001295
Publication Date: 06.02.1997 International Filing Date: 16.07.1996
Chapter 2 Demand Filed:    29.01.1997    
IPC:
H01L 33/54 (2010.01), H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/18 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BOGNER, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BRUNNER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAAS, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUFT, Johann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NIRSCHL, Ernst [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SPAETH, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STATH, Norbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEICH, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BOGNER, Georg; (DE).
BRUNNER, Herbert; (DE).
HAAS, Heinz; (DE).
LUFT, Johann; (DE).
NIRSCHL, Ernst; (DE).
SPAETH, Werner; (DE).
STATH, Norbert; (DE).
TEICH, Wolfgang; (DE)
Priority Data:
195 26 389.8 19.07.1995 DE
Title (DE) HALBLEITERLASERCHIP UND INFRAROT-EMITTER-BAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR LASER CHIP AND INFRARED EMITTER COMPONENT
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR DE LASER ET COMPOSANT EMETTEUR D'INFRAROUGES
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Infrarot-Emitter-Bauelement mit einem handelsüblichen Lumineszenzdioden-(LED)-Gehäuse, welches zwei Elektrodenanschlüsse (13, 14) aufweist, von denen der eine einen wannenförmigen Reflektor (12) aufweist, und welches Gehäuse (11) ein optisch transparentes, elektrisch nichtleitendes Verkapselungsmaterial (16) aufweist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß in dem wannenförmigen Reflektor (12) des Lumineszenzdioden-(LED)-Gehäuses (11) ein Halbleiterlaserchip (1) befestigt ist. Der Halbleiterlaserchip (1) weist eine Quantenwannenstruktur auf, insbesondere mit einer gestrainten Schichtenstruktur, beispielsweise MOVPE-Epitaxieschichten mit der Schichtenfolge GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. In dem optisch transparenten, elektrisch nichtleitenden Material (16) des Lumineszenzdioden-(LED)-Gehäuses (11) kann ein darin eingebrachtes Diffusormaterial (17) vorgesehen sein, welches hinsichtlich Art und Konzentration derart ausgebildet bzw. eingebracht ist, daß sich in Verbindung mit dem im Lumineszenzdioden-(LED)-Gehäuse (11) verkapselten Halbleiterlaserchip (1) eine Abstrahlcharakteristik bzw. eine Vergrößerung der wirksamen Emissionsfläche ergibt, die vergleichbar ist mit der einer handelsüblichen Infrarotleuchtdiode.
(EN)The invention relates to an infrared emitter component with a commercial light-emitting diode (LED) package (11) which has two electrode terminals (13, 14), one of which has a well-shaped reflector (12), and which has an optically transparent, electrically nonconductive encapsulating material (16). The invention provides that a semiconductor laser chip (1) is mounted in the well-shaped reflector (12) of the LED package. The semiconductor laser chip (1) has a quantum-well structure, especially with a strained-layer structure, for example MOVPE epitaxial layers with the layer sequence GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. The optically transparent, electrically nonconductive material (16) of the LED package (11) may incorporate a diffuser material (17) which in terms of type and concentration is structured and introduced so as to produce, in conjunction with the semiconductor laser chip (1) encapsulated in the LED package (11), a radiation characteristic or an enlargement of the effective emission surface that is comparable to that of a commercial infrared LED.
(FR)L'invention concerne un composant émetteur d'infrarouges pourvu d'un boîtier (11) du commerce à diode électroluminescente (DEL), pourvu de deux bornes d'électrodes (13, 14), dont chacune comporte un réflecteur (12) en forme de puits, ledit boîtier présentant un matériau d'encapsulation (16) non électroconducteur et optiquement transparent. Selon l'invention, une puce de semi-conducteur (1) de laser est montée dans ledit réflecteur (12) du boîtier à DEL. La puce de semi-conducteur (1) de laser a une structure à couches contraintes, par exemple des couches de mélanges organométalliques épitaxiées en phase gazeuse, disposées dans l'ordre suivant: GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. Dans le matériau (16) non électroconducteur, optiquement transparent du boîtier à DEL (11) peut être incorporé un matériau diffuseur (17) qui, en termes de type et de concentration, est conçu et introduit de façon à produire, en conjonction avec la puce de semi-conducteur (1) de laser encapsulée dans le boîtier à DEL (11), une caractéristique de rayonnement ou un grossissement de la surface d'émission efficace comparable à celle ou à celui d'une DEL à infrarouges du commerce.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)