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1. WO1996041366 - PLASMA PROCESSING SYSTEM WITH REDUCED PARTICLE CONTAMINATION

Publication Number WO/1996/041366
Publication Date 19.12.1996
International Application No. PCT/US1996/006323
International Filing Date 06.05.1996
Chapter 2 Demand Filed 20.11.1996
IPC
H01J 37/32 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes
CPC
H01J 2237/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
02Details
022Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
H01J 37/32431
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
Applicants
  • MATERIALS RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventors
  • LANTSMAN, Alexander, D.
Agents
  • SUMME, Kurt, A.
Priority Data
08/478,95007.06.1995US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) PLASMA PROCESSING SYSTEM WITH REDUCED PARTICLE CONTAMINATION
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT AU PLASMA A CONTAMINATION PARTICULAIRE REDUITE
Abstract
(EN)
The plasma processing system (10) comprises a processing chamber (12) with a processing space (18) therein to contain a substrate (20). An electrical element (22) is operable to couple electrical energy into the processing space (18) to generate a plasma and is further operable to interrupt the power to the processing space (18) to extinguish the plasma upon completion of the processing. An electrode (24) positioned inside the chamber is electrically coupled to the substrate (20) and to a DC bias power supply (30) which selectively supplies DC power to the electrode (24) to bias the substrate (20). A DC bias control circuit (40) coupled to the power supply (30) selectively controls the biasing of the substrate (20) and is operable to briefly supply DC power to the electrode (24) and the substrate (20) proximate the time when the power to the generated plasma is interrupted to momentarily DC bias the substrate (20) such that, as the plasma is extinguished, charged contaminant particles suspended within the plasma are repelled away from the biased substrate (20) to prevent contamination of the substrate (20).
(FR)
Système de traitement au plasma (10) comprenant une chambre de traitement (12) au sein de laquelle se trouve un espace de traitement (18) destiné à contenir un substrat (20). Un élément électrique (22) a pour fonction de coupler l'énergie électrique dans l'espace de traitement (18) afin de générer un plasma et sert également à arrêter l'alimentation de l'espace de traitement (18) pour éteindre le plasma à la fin du traitement. Une électrode (24) montée à l'intérieur de la chambre est reliée électriquement au substrat (20) et à une alimentation de polarisation continue (30) qui alimente, de manière sélective, l'électrode (24) en courant continue pour polariser le substrat (20). Un circuit de commande de polarisation continue (40) relié à l'alimentation (30) commande de manière sélective la polarisation du substrat (20) et sert à alimenter brièvement l'électrode (24) et le substrat (20) en courant continu à peu près au moment où l'alimentation du plasma généré est interrompue, afin de polariser par courant continu momentanément le substrat (20) de sorte que, une fois le plasma éteint, les particules chargées de contaminants qui sont en suspension dans le plasma puissent être écartées du substrat polarisé (20) afin d'empêcher sa contamination.
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