A sector programmable EEPROM memory capable of emulating the byte programmable functionality of full-featured byte programmable EEPROMs. The EEPROM memory incorporates an on-chip write cache (83) used as a buffer between byte level data entered by the user system and word level data written to the main memory core. The EEPROM main memory core is divided into memory pages (32) with each memory page further divided into sub-page sectors (59-62), and each sub-page sector holding a multitude of multi-byte data words. The sub-page sectors within a memory page can be individually or collectively subjected to a program and erase cycle. The EEPROM memory incorporates an EEC unit (73) used to recover and refresh lost data in the memory core. The EEPROM memory is also capable of interruptible load cycles.

L'invention concerne une mémoire EEPROM programmable par secteurs, capable d'émuler la programmation par octets des mémoires connues comportant toutes les caractéristiques nécessaires à la programmation par octets. La mémoire EEPROM comprend une antémémoire (83) d'écriture sur puce comme mémoire tampon entre les données entrées sous forme d'octets par le système utilisateur et les données sous forme de mots écrites dans la mémoire centrale principale. La mémoire centrale principale de l'EEPROM est divisé en pages de mémoire (32), avec chaque page de mémoire divisée en outre en secteurs de sous-page (59-62) et chaque secteur de sous-page contenant une multitude de mots de données à octets multiples. Les secteurs de sous-pages dans une page de la mémoire peuvent être soumis individuellement ou collectivement à un cycle de programmation et d'effacement. La mémoire EEPROM comprend une unité à code correcteur d'erreurs (73) utilisée pour extraire et réactualiser les données perdues dans le noyau de la mémoire. La mémoire EEPROM est également capable d'effectuer des cycles de chargement qui peuvent être interrompus.