(EN) A novel process is taught for forming diodes in a process which simultaneously forms MOS or CMOS devices. These diodes have relatively low breakdown voltage, making them suitable for ESD protection devices or as voltage reference diodes. In alternative embodiments, novel low breakdown voltage devices are fabricated in a similar fashion as MOS devices but with doping levels such that the inherent bipolar device has a low breakdown voltage characteristic. In alternative embodiments, novel vertical bipolar transistors are taught, as are SCR devices, having low breakdown voltage characteristics. In one embodiment of this invention, a low breakdown voltage device is integrated directly with a standard MOS transistor, allowing the low breakdown voltage device to trigger the turn on of the standard MOS device, thereby providing large current capacity controlled by the low breakdown voltage device.
(FR) L'invention concerne un nouveau procédé de fabrication de diodes, qui permet d'obtenir simultanément des dispositifs MOS et CMOS. Ces diodes possèdent une tension de claquage relativement basse, ce qui rend leur utilisation appropriée pour des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques ou en tant que diodes de tension de référence. Dans d'autres modes de réalisation, de nouveaux dispositifs possédant une tension de claquage peu élevée sont fabriqués de la même façon que des dispositifs MOS mais sans niveaux de dopage, de sorte que le dispositif bipolaire inhérent possède une caractéristique de tension de claquage basse. D'autres modes de réalisation concernent de nouveaux transistors bipolaires verticaux qui, de même que les dispositifs SCR, possèdent des caractéristiques de tension de claquage basse. Dans un mode de réalisation de l'invention, un dispositif à tension de claquage basse est intégré directement à un transistor MOS standard, ce qui permet audit dispositif de déclencher la mise en fonction du transistor MOS standard et, de ce fait, de produire une capacité importante de courant régulée par le dispositif à tension de claquage basse.
