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1. (WO1996008751) PHOTOLITHOGRAPHIC METHOD OF PRODUCING STRUCTURAL FEATURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/008751    International Application No.:    PCT/DE1995/001187
Publication Date: 21.03.1996 International Filing Date: 01.09.1995
Chapter 2 Demand Filed:    10.04.1996    
IPC:
G03F 7/022 (2006.01), G03F 7/023 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
SEZI, Recai [TR/DE]; (DE) (For US Only).
LEUSCHNER, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMIDT, Erwin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SEZI, Recai; (DE).
LEUSCHNER, Rainer; (DE).
SCHMIDT, Erwin; (DE)
Priority Data:
P 44 32 445.6 12.09.1994 DE
P 44 32 447.2 12.09.1994 DE
Title (DE) PHOTOLITHOGRAPHISCHE STRUKTURERZEUGUNG
(EN) PHOTOLITHOGRAPHIC METHOD OF PRODUCING STRUCTURAL FEATURES
(FR) PRODUCTION DE STRUCTURES PAR PHOTOLITHOGRAPHIE
Abstract: front page image
(DE)Bei einem Verfahren zur photolithographischen Strukturerzeugung im Submikron-Bereich wird auf ein Substrat eine Photoresistschicht aufgebracht, die aus einem tert.-Butylester- oder tert.-Butoxycarbonyloxygruppen enthaltenden Polymer, einer photoaktiven Komponente - in Form eines Esters einer Naphthochinondiazid-4-sulfonsäure mit einer aromatischen Hydroxyverbindung - und einem geeigneten Lösungsmittel besteht; die Photoresistschicht wird dann getrocknet, bildmäßig belichtet, einer Temperaturbehandlung im Bereich zwischen 120 und 150 °C für die Dauer von 100 bis 600 s ausgesetzt und naßentwickelt (Einlagenresistsystem). Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren, bei dem ein entsprechendes Zweilagenresistsystem Verwendung findet.
(EN)The invention concerns a photolithographic method of producing sub-micron structural features by applying to a substrate a photosensitive resist layer consisting of a polymer containing tert.-butyl ester or tert.-butoxycarbonyloxy groups, a photosensitive component (in the form of an ester of naphthoquinonediazide-4-sulphonic acid and an aromatic hydroxy compound) and a suitable solvent. The photoresist is then dried, illuminated imagewise, heated at a temperature between 120 and 150 °C for 100 to 600 s and wet-developed (single-layer resist system). The invention also concerns a method in which an analogous two-layer resist system is used.
(FR)L'invention concerne un procédé de production par photolithographie de structures de l'ordre du sous-micron, selon lequel une couche de photorésist est appliquée sur un substrat. Cette couche de photorésist comprend un polymère contenant un groupe anhydride d'acide carboxylique et des groupes ester de butyle tert. ou butocarbonyloxy tert., un constituant photoactif sous forme d'ester d'un acide naphtoquinone-diazide-4-sulfonique avec un composé hydroxy aromatique et un solvant approprié. La couche de photorésist est ensuite séchée, éclairée conformément à l'image à reproduire et soumise pendant 100 à 600 s à un traitement thermique, à une température comprise entre 120 et 150 °C, avant d'être révélée à l'état humide (systèmes de résist monocouche). L'invention concerne en outre un procédé qui fait appel à un système de résist bicouche analogue.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)