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1. (WO1996008044) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A SEMICONDUCTOR DIODE LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/008044    International Application No.:    PCT/IB1995/000698
Publication Date: 14.03.1996 International Filing Date: 28.08.1995
IPC:
H01S 5/06 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01), H01S 5/50 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 5, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: TIEMEIJER, Lukas, Frederik; (NL)
Agent: SMEETS, Eugenius, Theodorus, Josephus, Maria; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
94202537.0 06.09.1994 EP
Title (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A SEMICONDUCTOR DIODE LASER
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTOELECTRONIQUE DOTE D'UN LASER A DIODE A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)An optoelectronic semiconductor device (100) with at least one laser (30) and two mutually parallel, strip-shaped active regions (31, 32), whose ends are optically coupled at one side, is a very suitable radiation source or amplifier for use in $i(inter alia) glass fibre communication, for example as a tunable radiation source. In a device (100) according to the invention, the ends of the active regions (31, 32) are coupled to a first (10) and a second (20) radiation coupler at two respective ends, the first radiation coupler (10) forming a first (1) and a second gate (2), and the second radiation coupler (20) forming a third (3) and a fourth gate (4) for the device (100), while the geometry and material properties of the radiation couplers (10, 20) and the active regions (31, 32) are so chosen that electromagnetic radiation generated, amplified, or reflected in the device (100) during operation moves diagonally through the device (100) owing to constructive interference. In such a device (100), at most one kind of radiation (S, R) will pass through a gate (1, 2, 3, 4). Preferably, the couplers (10, 20) are 3-dB couplers of the MMI (=Multi Mode Interference) type. Preferred embodiments are an optically controllable laser, an optically controllable laser amplifier, and a laser amplifier with stabilized gain.
(FR)Dispositif (100) semi-conducteur optoélectronique doté d'au moins un laser (30) et de deux régions (31, 32) actives et parallèles, en forme de bande, dont les extrémités sont optiquement couplées d'un côté, qui constitue une source ou un amplificateur de rayonnement destinés à être utilisés entre autres dans la communication par fibres de verres, par exemple en tant que source de rayonnement accordable. Dans un dispositif (100) de la présente invention, les extrémités des régions actives (31, 32) sont couplées à des premier (10) et second (20) coupleurs de rayonnement à deux extrémités respectives, le premier coupleur (10) formant une première (1) et une seconde (2) porte, et le second coupleur (20) formant une troisième (3) et une quatrième (4) porte pour ledit dispositif (100), tandis que la géométrie et les propriétés du matériau des coupleurs (10, 20) de rayonnement et des régions actives (31, 32) sont choisies de telle manière que le rayonnement électromagnétique généré, amplifié ou réfléchi dans le dispositif (100) en fonctionnement se déplace en diagonale à travers le dispositif (100) en raison de l'interférence constructive. Dans un tel dispositif (100), un type de rayonnement (S, R) au plus passe à travers la porte (1, 2, 3, 4). De préférence, les coupleurs (10, 20) sont des coupleurs 3-dB du type MMI (Interférence multimode). Des modes de réalisation préférés concernent un laser à commande optique, un amplificateur laser à commande optique et un amplificateur laser à gain stabilisé.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)