WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1996008039) STRUCTURE AND FABRICATION OF BIPOLAR TRANSISTORS WITH IMPROVED OUTPUT CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/008039    International Application No.:    PCT/US1995/011145
Publication Date: 14.03.1996 International Filing Date: 31.08.1995
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 1090 Kifer Road, M/S 16-135, Sunnyvale, CA 94086-3737 (US)
Inventors: BULUCEA, Constantin; (US).
GRUBISICH, Michael, J.; (US)
Agent: TSO, Roland; National Semiconductor Corporation, 1090 Kifer Road, M/S 16-135, Sunnyvale, CA 94086-3737 (US)
Priority Data:
08/300,498 02.09.1994 US
Title (EN) STRUCTURE AND FABRICATION OF BIPOLAR TRANSISTORS WITH IMPROVED OUTPUT CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
(FR) STRUCTURE ET FABRICATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE SORTIE AMELIOREES
Abstract: front page image
(EN)A special two-dimensional intrinsic base doping profile is utilized to improve the output current-voltage characteristics of a vertical bipolar transistor whose intrinsic base includes a main intrinsic portion (64M). The special doping profile is achieved with a pair of more lightly doped base portions (66) that encroach substantially into the intrinsic base below the main intrinsic base portion (64M). The two deep encroaching base portions (66) extend sufficiently close to each other to set up a two-dimensional charge-sharing mechanism that typically raises the magnitude of the punch-through voltage. The transistor's current-voltage characteristics are thereby enhanced. Manufacture of the transistor entails introducing suitable dopants into a semiconductor body. In one fabrication process, a fast-diffusing dopant is employed in forming the deep encroaching base portions (66) without significantly affecting earlier-created transistor regions.
(FR)Un profil de dopage bidimensionnel spécial pour base intrinsèque est utilisé pour améliorer les caractéristiques courant de sortie-tension d'un transistor bipolaire vertical dont la base intrinsèque comprend une partie intrinsèque principale (64M). Ce profil de dopage spécial s'obtient avec deux parties base (66) plus légèrement dopées, qui empiètent sensiblement sur la base intrinsèque au-dessous de la partie base intrinsèque principale (64M). Ces deux parties base (66) sont suffisamment rapprochées pour créer un mécanisme bidimensionnel de partage de charges, qui élève généralement l'intensité de la tension de claquage. Les caractéristiques courant-tension du transistor s'en trouvent ainsi améliorées. La fabrication du transistor nécessite l'introduction de dopants appropriés dans un corps de semi-conducteur. Dans un procédé de fabrication, un dopant à diffusion rapide est mis en ÷uvre pour former les parties base (66) sans affecter notablement les régions du transistor préalablement créées.
Designated States: DE, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)