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1. (WO1996008028) FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/008028    International Application No.:    PCT/US1995/011463
Publication Date: 14.03.1996 International Filing Date: 07.09.1995
Chapter 2 Demand Filed:    03.04.1996    
IPC:
H01J 1/304 (2006.01), H01J 3/02 (2006.01), H01J 9/24 (2006.01), H01J 29/94 (2006.01), H01J 31/12 (2006.01)
Applicants: FED CORPORATION [US/US]; Hudson Valley Research Park, 1580 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventors: JONES, Gary, W.; (US).
ZIMMERMAN, Steven, M.; (US)
Agent: COYNE, Patrick, J.; Collier, Shannon, Rill & Scott, Suite 400,, 3050 K Street N.W., Washington, D.C. 20007 (US)
Priority Data:
301,473 07.09.1994 US
Title (EN) FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE
(FR) AFFICHAGES A EFFET DE CHAMP
Abstract: front page image
(EN)A field emitter structure, comprising: a base substrate (42); a field emitter element (48) on the base substrate; a multilayer differentially etched dielectric stack (58, 60) circumscribingly surrounding the field emitter element on the base substrate; and a gate electrode (66) overlying the multilayer differentially etched dielectric stack, and in circumscribing spaced relationship to the field emitter element. Also disclosed are electron source devices, comprising an electron emitter element including a material selected from the group consisting of leaky dielectric materials, and leaky insulator materials, as well as electron source devices, comprising an electron emitter element including an insulator material doped with a tunneling electron emission enhancingly effective amount of a dopant species, and thin film triode devices.
(FR)L'invention porte sur une structure d'émission à effet de champ comportant un substrat (42) de base, un élément à émission de champ (48) monté sur le substrat (42), un empilement de diélectriques obtenu par attaque chimique différentielle (58, 60) et entourant l'élément à émission de champ (48), et une grille (66) recouvrant l'empilement de diélectriques et entourant à distance l'élément à émission de champ (48). L'invention porte également sur des sources d'électrons comprenant un élément émetteur d'électrons contenant des diélectriques et des isolateurs à fortes fuites; elle porte enfin sur des sources d'électrons comprenant un élément émetteurs d'électrons contenant des diélectriques mal isolés et un isolateur dopé par une quantité efficace de dopants renforçant l'émission d'électrons par effet tunnel, et sur des triodes à couche mince.
Designated States: CA, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)