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1. (WO1996006802) METHOD FOR THE PREPARATION OF TRISILANE FROM MONOSILANE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/006802    International Application No.:    PCT/FR1995/001093
Publication Date: 07.03.1996 International Filing Date: 17.08.1995
Chapter 2 Demand Filed:    17.10.1995    
IPC:
C01B 33/04 (2006.01)
Applicants: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75, quai d'Orsay, F-75321 Paris Cédex 07 (FR) (For All Designated States Except US).
VILLERMET, Alain [FR/FR]; (FR) (For US Only).
DIDIER, Pierre [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: VILLERMET, Alain; (FR).
DIDIER, Pierre; (FR)
Common
Representative:
L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE; 75, quai d´Orsay, F-75321 Paris Cédex 07 (FR)
Priority Data:
94/10529 01.09.1994 FR
Title (EN) METHOD FOR THE PREPARATION OF TRISILANE FROM MONOSILANE
(FR) PROCEDE DE PREPARATION DE TRISILANE A PARTIR DE MONOSILANE
Abstract: front page image
(EN)Method for the production of trisilane from monosilane, by which gaseous monosilane is passed into a reactive area where it is subjected to an electric discharge produced by a high frequency current. The method is characterized in that a) the monosilane is used in the form of a mixture with at least one inert gas chosen from the group consisting of helium and argon; b) the pressure of the gaseous mixture in the reactive area is from 0.1 to 3 10?5¿ Pa, and c) the gaseous mixture is placed in contact, within the reactive area under the electric discharge, with a wall cooled to a temperature which must be over -120 °C and at most -90 °C, preferably in the range of 115 °C - 100 °C. The invention is for use, in particular, in the electronic industry.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de trisilane à partir de monosilane, selon lequel on fait passer du monosilane gazeux dans une zone réactionnelle où il est soumis à une décharge électrique engendrée par un courant haute fréquence, caractérisé en ce que: a) le monosilane est utilisé sous forme d'un mélange avec au moins un gaz inerte choisi dans le groupe formé par l'hélium et l'argon; b) la pression du mélange gazeux dans la zone réactionelle est comprise entre 0,1 et 3 10?5¿ Pa, et c) on met en contact le mélange gazeux, dans la zone réactionnelle sous décharge électrique, avec une paroi refroidie à une température strictement supérieure à -120 °C et inférieure ou égale à -90 °C, préférentiellement située dans la gamme[-115 °C, -100°C]. L'invention s'applique notamment à l'industrie électronique.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)