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1. (WO1996006329) MAGNETIC SIGNAL DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/006329    International Application No.:    PCT/JP1995/001674
Publication Date: 29.02.1996 International Filing Date: 23.08.1995
IPC:
G01D 5/16 (2006.01), G01P 3/487 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MITANI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMAMURA, Hiroshi; (JP).
MITANI, Satoru; (JP)
Agent: TAKIMOTO, Tomoyuki; Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571 (JP)
Priority Data:
6/198292 23.08.1994 JP
Title (EN) MAGNETIC SIGNAL DETECTOR
(FR) DETECTEUR DE SIGNAUX MAGNETIQUES
Abstract: front page image
(EN)A magnetic signal detector utilizing a ferromagnetic thin-film magnetoresistive device, in which the direction of magnetization of a thin-film magnetoresistor can be optimized by a small bias magnetic field to produce a maximum output of high linearity. The direction of magnetization (M) is set to 45° by disposing a bias magnet (3) in such a manner as to give an angle 56° of a bias magnetic field Hb to a current (I) flowing in a longitudinal direction of the thin-film magnetoresistor (2) on a substrate, and a maximum output having high linearity is obtained between power supply terminals (4 and 5).
(FR)Détecteur de signaux magnétiques utilisant un dispositif ferromagnétique magnétorésistif à couche mince, dans lequel le sens de magnétisation d'une magnétorésistance à couche mince peut être optimisé par un champ magnétique à faible polarisation pour produire un signal de sortie maximum de grande linéarité. On fixe le sens de magnétisation M à 45° en disposant un aimant de polarisation (3) de manière à conférer un angle 56° d'un champ magnétique de polarisation Hb à un courant I s'écoulant dans le sens de la longueur de la magnétorésistance à couche mince (2) sur un substrat, ce qui permet d'obtenir un signal de sortie maximum de grande linéarité entre les bornes d'alimentation (4) et (5).
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)