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1. WO1996005654 - FET CIRCUIT

Publication Number WO/1996/005654
Publication Date 22.02.1996
International Application No. PCT/DE1995/000940
International Filing Date 18.07.1995
IPC
H03K 17/042 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
04Modifications for accelerating switching
042by feedback from the output circuit to the control circuit
CPC
H03K 17/04206
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
042by feedback from the output circuit to the control circuit
04206in field-effect transistor switches
Applicants
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
  • SCHMAUDER, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HILGENBERG, Bernd [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors
  • SCHMAUDER, Wolfgang; DE
  • HILGENBERG, Bernd; DE
Priority Data
P 44 28 548.512.08.1994DE
Publication Language German (DE)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) SCHALTUNGSANORDNUNG MIT EINEM FELDEFFEKTTRANSISTOR
(EN) FET CIRCUIT
(FR) CIRCUITERIE COMPORTANT UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abstract
(DE)
Es wird eine Schaltungsanordnung mit einem FET (1) vorgeschlagen, bei dem eine Schnellentladung des Gates vorgesehen ist. Zur Schnellentladung wird das Gate niederohmig mit einem Potentialanschluß (13) verbunden. Zwischen dem Gate und dem Potentialanschluß (13) wird ein erster Schalter (11) und ein zweiter Schalter (10) angeordnet. Der zweite Schalter (10) wird dabei vom Drainpotential angesteuert.
(EN)
Proposed is a circuit containing an FET (1) with provision for rapid discharge of the gate. This rapid discharge is achieved by connecting the gate by means of a low-impedance connection to a potential terminal (13). Between the gate and the potential terminal (13) are a first switch (11) and a second switch (10), the second switch (10) being controlled by the drain potential.
(FR)
L'invention concerne une circuiterie comportant un transistor à effet de champ où il est prévu une décharge rapide de la grille. A cet effet, la grille est connectée à basse impédance avec un raccordement de potentiel (13). Un premier commutateur (11) et un second commutateur (10) sont montés entre la grille et le raccordement de potentiel (13). Le second commutateur (10) est excité par le potentiel du drain.
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