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1. WO1996005620 - PROCESS FOR PRODUCING A SILICON CAPACITOR

Publication Number WO/1996/005620
Publication Date 22.02.1996
International Application No. PCT/DE1995/001036
International Filing Date 07.08.1995
Chapter 2 Demand Filed 11.12.1995
IPC
H01L 21/02 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
CPC
H01L 28/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
Applicants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
  • WILLER, Josef [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WENDT, Hermann [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHÄFER, Herbert [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors
  • WILLER, Josef; DE
  • WENDT, Hermann; DE
  • SCHÄFER, Herbert; DE
Priority Data
P 44 28 195.109.08.1994DE
Publication Language German (DE)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMKONDENSATORS
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON CAPACITOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR AU SILICIUM
Abstract
(DE)
Zur Herstellung eines Siliziumkondensators werden in einem n-dotierten Siliziumsubstrat (1) Lochöffnungen erzeugt, an deren Oberfläche durch Dotierung ein leitfähiges Gebiet (40) gebildet wird und deren Oberfläche mit einer dielektrischen Schicht (6) und einer leitfähigen Schicht (7) versehen wird. Um durch die Dotierung des leitfähigen Gebietes (40) bewirkte mechanische Verspannungen des Siliziumsubstrats (1) zu kompensieren, wird das leitfähige Gebiet (40) zusätzlich mit Germanium dotiert, das aus einer mit Germanium dotierten Schicht ausdiffundiert.
(EN)
In order to produce a silicon capacitor, holes are created in an n-doped silicon substrate (1); across the surface of the holes a conducting region (40) is created through doping and a dielectric layer (6) and a conducting layer (7) are provided. To compensate for mechanical stresses in the silicon substrate resulting from the doping of the conducting region (40), the conducting region (40) is in addition doped with germanium which diffuses out from a germanium-doped layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur au silicium consistant à réaliser des trous dans un substrat de silicium dopé n (1), puis à créer une zone conductrice (40) par dopage à la surface des trous, cette surface étant ensuite pourvue d'une couche diélectrique (6) et d'une couche conductrice (7). Afin de compenser les contraintes mécaniques dans le substrat de silicium, dues au dopage de la zone conductrice (40), la zone conductrice (40) est dopée en outre au germanium qui diffuse d'une couche dopée au germanium.
Also published as
FI970543
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