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1. WO1996004714 - LEVEL CONVERTING CIRCUIT

Publication Number WO/1996/004714
Publication Date 15.02.1996
International Application No. PCT/JP1995/001296
International Filing Date 29.06.1995
Chapter 2 Demand Filed 29.06.1995
IPC
H03K 19/0175 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
CPC
H03K 19/017518
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
017509Interface arrangements
017518using a combination of bipolar and field effect transistors [BIFET]
Applicants
  • HITACHI, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TAKASHIMA, Kazumasa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • YOKOYAMA, Yuji [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventors
  • TAKASHIMA, Kazumasa
  • YOKOYAMA, Yuji
Agents
  • TAMAMURA, Shizuyo
Priority Data
6/20024402.08.1994JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) LEVEL CONVERTING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT CONVERTISSEUR DE NIVEAUX
Abstract
(EN)
A level converting circuit comprising a p-channel field effect transistor (11) for receiving signals at a GTL interface level and an npn bipolar transistor (14), wherein the field-effect transistor (11) and the bipolar transistor (14) are connected between their source and drain to form a level conversion output node and the two transistors are also connected between their drain and base. The field-effect transistor (11) converts the level of the input signals, i.e., the GTL interface level, into a level at which the transistor (14) operates and further raises the converted level. Therefore, the GTL interface level can be converted into a higher level at a high speed.
(FR)
Circuit convertisseur de niveaux comportant un transistor (11) à effet de champ à canal P pour la réception de signaux à un niveau d'interface de logique de transduction à effet Gunn et un transistor bipolaire (14) NPN, tel que le transistor à effet de champ (11) et le transistor bipolaire (14) sont reliés entre leurs sources et leur drain de manière à réaliser un n÷ud de sortie de conversion de niveau et que les deux transistors sont également reliés entre leur drain et leur base. Le transistor à effet de champ (11) convertit le niveau des signaux d'entrée, c'est à dire le niveau d'interface de logique de transduction à effet Gunn, en un niveau auquel le transistor (14) fonctionne et élève le niveau converti. De ce fait, le niveau d'interface de logique de transduction à effet Gunn peut être converti en un niveau plus élevé à une vitesse supérieure.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau