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1. (WO1996004713) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004713    International Application No.:    PCT/JP1995/001554
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 04.08.1995
IPC:
H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Applicants: JAPAN ENERGY CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP) (For All Designated States Except US).
OHKUBO, Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Takahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHKUBO, Yukio; (JP).
SATO, Takahiro; (JP)
Agent: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd floor, 9, Daikyo-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
6/279737 20.10.1994 JP
6/279738 20.10.1994 JP
Title (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A surface acoustic wave device for processing signals of high frequency as high as 1 GHz or above by using surface acoustic waves, which propagate while radiating bulk waves such as a longitudinal wave type leaky wave perpendicular to a piezoelectric substrate, is given a structure of an IDT having a sufficiently small electrical resistance without increasing a propagation loss. The device includes a piezoelectric substrate (10) and an electrode comprising a conductive film (12) for exciting, receiving, reflecting and propagating an elastic surface wave on the piezoelectric substrate (10), and the surface acoustic wave propagates along the surface of the piezoelectric substrate (10) while radiating at least one transverse wave component of a bulk wave perpendicular to the surface of the piezoelectric substrate (10). The thickness of an insulating film of a first region is different from the thickness of an insulating film (18) of a second region so that the acoustic impedance to the surface acoustic wave becomes substantially equal both in the first region where the conductive film (12) inside the electrode is disposed and the second region where the conductive film inside the electrode is not disposed.
(FR)Dispositif à ondes acoustiques de surface destiné à traiter des signaux haute fréquence, d'une fréquence égale ou supérieure à 1 GHz, en utilisant des ondes acoustiques de surface, qui se propagent tout en rayonnant des ondes de volume telles que des ondes de fuite de type longitudinal, perpendiculaires à un substrat piézo-électrique. Ce dispositif présente la structure d'un IDT possédant une résistance électrique suffisamment faible sans augmenter la perte par propagation. Ce dispositif comprend un substrat piézo-électrique (10) et une électrode comportant un film conducteur (12) qui excite, reçoit, réfléchit et propage une onde de surface élastique sur le substrat piézo-électrique (10), et l'onde acoustique de surface se propage le long de la surface du substrat piézo-électrique (10) tout en rayonnant au moins une composante ondulatoire d'une onde de volume perpendiculaire à la surface du substrat piézo-électrique (10). L'épaisseur d'un film isolant d'une première région est différente de l'épaisseur d'un film isolant (18) d'une deuxième région de sorte que l'impédance acoustique vis-à-vis de l'onde acoustique de surface devient sensiblement égale aussi bien dans la première région où est situé le film conducteur (12) à l'intérieur de l'électrode, que dans la deuxième région dépourvue de film conducteur à l'intérieur de l'électrode.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)