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1. (WO1996004680) METHOD OF REMOVING SHARP EDGES OF DIELECTRIC COATINGS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND DEVICE PRODUCED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004680    International Application No.:    PCT/US1995/009968
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 21.07.1995
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 2355 W. Chandler Boulevard, Chandler, AZ 85224 (US)
Inventors: JACKSON, Daniel, J.; (US)
Agent: WEISS, Harry, M.; Harry M. Weiss & Associates, P.C., 4204 N. Brown Avenue, Scottsdale, AZ 85251 (US)
Priority Data:
08/283,603 01.08.1994 US
Title (EN) METHOD OF REMOVING SHARP EDGES OF DIELECTRIC COATINGS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND DEVICE PRODUCED
(FR) PROCEDE D'ELIMINATION DES ANGLES VIFS DE REVETEMENTS DIELECTRIQUES SUR DES SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)This disclosure is directed to a method of producing a smooth surface for a dielectric coating (34) that is located above the surface of semiconductor substrate (10) containing doped regions (26, 32, 34) of a semiconductor device. Sharp edges (40, 42) formed in the dielectric coating (34) during certain semiconductor processing steps are removed using a deposition process to deposit a separate insulating layer (48) on the dielectric coating (34) containing the sharp edges (40, 42) followed by an annealing operation and the subsequent removal of the separate insulating layer (48) to permit the subsequent formation of electrodes (50, 52, 54) on a smooth surface of the dielectric coating (34).
(FR)Procédé de lissage de la surface d'un revêtement diélectrique (34) situé au-dessus de la surface du substrat d'un semi-conducteur (10) contenant des régions dopées (26, 32, 34). Les angles vifs (40, 42) formés dans le revêtement lors de certaines étapes de sa mise en place sont éliminés par un procédé assurant le dépôt d'une couche isolante séparée (48) recouvrant le diélectrique (34) présentant des angles vifs (40, 42), suivi d'un recuit puis de l'élimination de la couche isolante séparée (48) pour permettre la formation ultérieure d'électrodes (50, 52, 54) à la surface lisse du revêtement diélectrique (34).
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)