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1. (WO1996004679) COUNTER-IMPLANTATION METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED ANTI-PUNCHTHROUGH POCKETS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004679    International Application No.:    PCT/US1995/009510
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 28.07.1995
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 1090 Kifer Road, M/S 16-135, Sunnyvale, CA 94086-3737 (US)
Inventors: KAO, Dah-Bin; (US).
SCOTT, Gregory, S.; (US)
Agent: RODDY, Richard, J.; National Semiconductor Corporation, 1090 Kifer Road, M/S 16-135, Sunnyvale, CA 94086-3737 (US)
Priority Data:
08/283,458 01.08.1994 US
Title (EN) COUNTER-IMPLANTATION METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED ANTI-PUNCHTHROUGH POCKETS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION PAR CONTRE-IMPLANTATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT DES POCHES ANTI-CLAQUAGE AUTO-ALIGNEES
Abstract: front page image
(EN)A method of processing a semiconductor device shapes a layer buried within a substrate of the semiconductor device. This layer has a conductivity the same as that of the substrate but has a higher doping level. In this process, a region of the layer is selected and ions of an opposite conductivity to the selected layer are counter-implanted in the region so that the doping level is substantially canceled. A region of the layer adjacent to the counter-implanted region retains a higher doping level. Alternative techniques are employed to protect the doped region against the counter-implant. In a first approach, the layer is doped and subsequently a mask is formed on the surface of the substrate. The mask is furnished by a part of the semiconductor device, such as a spacer which is connected to the gate electrode after the dopant layer is formed in the substrate. After the mask is formed, ions are counter-implanted with the mask protecting the doped region. In a second approach, both the ion implant forming the doped layer and the counter-implant are performed after masking structures are formed, however the ion implant is a large-angle implant which implants ions beneath the masking structure while the counter-implant is a perpendicular implant so that regions beneath the masking structure are protected from cancellation.
(FR)Le procédé de la présente invention permet de réaliser un dispositif semi-conducteur en mettant en forme une couche enterrée dans un substrat du dispositif semi-conducteur. La conductivité de cette couche est la même que celle du substrat, mais avec un niveau de dopage supérieur. Selon ce procédé, une fois qu'une région de la couche est sélectionnée, des ions à conductivité inverse de celle de la couche sélectionnée sont contre-implantés dans la région pour compenser sensiblement le niveau de dopage de la région. Les régions de la couche jouxtant la région ayant subi la contre-implantation conservent un niveau de dopage supérieur. Pour protéger des contre-implants la région dopée, on a recours à d'autres technique. Une première technique consiste d'abord à doper la couche, puis à réaliser un masque sur la surface du substrat au moyen d'une partie du dispositif semi-conducteur, telle qu'un séparateur connecté à l'électrode de commande une fois que la couche dopée a été réalisée sur le substrat. Une fois que le masque est constitué, la contre-implantation ionique est réalisée alors que le masque protège la région dopée. Une deuxième technique consiste à procéder aussi bien E l'implantation ionique de la région dopée qu'à la contre-implantation une fois que les structures de masquage sont constituées. Mais dans ce cas, l'implantation ionique est une implantation grand angle qui implante des ions sous la structure de masquage. Par contre avec la contre-implantation, l'implantation est perpendiculaire, ce qui fait que les régions en dessous de la structure de masquage sont protégées de toute compensation.
Designated States: DE, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)