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1. WO1996004677 - SPUTTER EPITAXY OF COMPONENT-QUALITY SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ DE ]

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer epitaktischen HeteroStruktur aus Siι-χGeχ mit 0 ≤ x ≤ 1, wobei x über die Dicke der HeteroStruktur ändert, dadurch gekennzeichnet, dass die HeteroStruktur mittels Sputtering aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Sputter-Quellen ein Silizium- und ein Germanium-Target verwendet werden, und dass zur Herstellung einer Schicht Siι-χGex mit 0 < x < 1 beide Targets
gleichzeitig betrieben werden.
3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtering in einer Edelgasatmosphäre stattfindet.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem Edelgas zur

Herstellung einer dotierten Schicht kontinuierlich oder pulsweise ein Dotiergas zugemischt wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer dotierten Schicht als Sputter-Quellen dotierte
Silizium- und Germanium-Targets verwendet werden.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtering unter Edelgas mit einem Partialdruck zwischen 5*10~3 und 10"1 mbar stattfindet.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtering unter Edelgas mit gegebenem Partialdruck (p) stattfindet, wobei das Produkt (p#d) des Partialdrucks und des Abstands (d) zwischen Sputtering-Target und herzustellender
HeteroStruktur zwischen 0.06 Pa*m und 1.2 Pa*m liegt.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Sputtering die HeteroStruktur auf einer Temperatur (T) gehalten wird, wobei (T) für die Herstellung eines Teils der
HeteroStruktur unter 500°C gehalten wird.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputtering in einer Wachstumskammer stattfindet, die Ultrahochvakuum-Bedingungen genügt.
10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer relaxierten Si-Ge Legierungs-Schicht auf einem
Silizium Substrat eine Siι- Gex Pufferschicht mit einem vom Substrat weg zunehmenden Wert von x aufgesputtert wird.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Magnetron-Sputtering Verfahren verwendet wird.