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1. (WO1996004674) A SELF-ALIGNED GATE FIELD EMITTER DEVICE AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004674    International Application No.:    PCT/GB1995/001760
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 25.07.1995
Chapter 2 Demand Filed:    29.02.1996    
IPC:
H01J 1/304 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: CENTRAL RESEARCH LABORATORIES LIMITED [GB/GB]; Dawley Road, Hayes, Middlesex UB3 1HH (GB) (For All Designated States Except US).
ALLEN, Philip, Charles [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: ALLEN, Philip, Charles; (GB)
Agent: MARSH, Robin, Geoffrey; Thorn Emi Patents Limited, Central Research Laboratories, Dawley Road, Hayes, Middlesex UB3 1HH (GB)
Priority Data:
9415892.0 05.08.1994 GB
Title (EN) A SELF-ALIGNED GATE FIELD EMITTER DEVICE AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE CHAMP A GRILLE AUTO-ALIGNEE ET SES PROCEDES DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A field emitter and fabrication method therefore is described in which the gate is formed around and substantially encloses the emitter. The emitter is formed on a silicon substrate and is in the form of a pyramidal structure (4). The surface of the pyramid (4) has formed thereon an oxide layer (6). On to the oxide layer (6) is formed a metal layer (8) and on to the metal layer (8) a layer of photoresist (10) is deposited. The whole device is baked until the photoresist (10) is drawn, by surface tension, towards the base of the pyramid to expose the metal layer (8). Etching of the metal layer (8) and the oxide layer (6) produces the finished device which may suitably be employed as a switch in an electronic circuit.
(FR)On décrit un dispositif émetteur de champ et son procédé de fabrication dans lequel la grille est formée autour de l'émetteur et entoure sensiblement celui-ci. L'émetteur est formé sur un substrat de silicium et il revêt la configuration d'une structure pyramidale (4) sur laquelle on a formé une couche (6) d'oxyde. Sur cette couche (6), on a également formé une couche (8) de métal sur laquelle on a déposé une couche de photorésist (10). Le dispositif entier est cuit jusqu'à ce que le photorésist (10) soit étiré, sous l'effet de la tension de surface, en direction de la base de la pyramide afin d'exposer la couche (8) de métal. L'attaque chimique des couches de métal (8) et d'oxyde (6) permet d'obtenir le dispositif fini que l'on peut utiliser de manière appropriée en tant que commutateur dans un circuit électronique.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)