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1. (WO1996004577) HIGH RESOLUTION X-RAY DISPERSIVE AND REFLECTIVE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004577    International Application No.:    PCT/US1995/009773
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 31.07.1995
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01)
Applicants: MOXTEK, INC. [US/US]; 452 West 1260 North, Orem, UT 84057 (US)
Inventors: PEW, Hans, Konrad; (US).
ALLRED, David, Dean; (US)
Agent: NORTH, Vaughn, W.; Thorpe, North & Western, 9035 South 700 East, Sandy, UT 84070 (US)
Priority Data:
08/286,693 05.08.1994 US
Title (EN) HIGH RESOLUTION X-RAY DISPERSIVE AND REFLECTIVE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE A HAUTE RESOLUTION REFLECHISANT ET DISPERSANT LES RAYONS X
Abstract: front page image
(EN)X-ray dispersive and reflective structure (10) utilizing special materials which exhibit improved performance in the specific ranges of interest. The structures (10) are formed of alternating thin layers (A and B) of uranium, uranium compound or uranium alloy and another spacer material consisting of elements or compounds with low absorptance chosen to match the wavelength of interest. These low index of refraction elements of compounds are those best suited for water window microscopy and nitrogen analysis, or are similar elements or compounds best suited for carbon analysis, boron analysis, and x-ray lithography using x-rays (11 and 12). The structures are constructed using standard thin layer deposition techniques such as evaporation, sputtering and CVD, or by novel methods which allow thinner and smoother layers to be deposited.
(FR)Structure (10) réfléchissant et dispersant les rayons X constituée de matériaux spéciaux qui sont plus performants dans les plages spécifiques concernées. Les structures (10) de ce type sont formées de fines couches (A et B) alternées d'uranium, de composé d'uranium ou d'alliage d'uranium et d'un autre matériau d'intercalation constitué d'éléments ou de composés à faible coefficient d'absorption sélectionnés pour correspondre à la longueur d'onde à analyser. Ces éléments ou composés à faible indice de réfraction sont les plus adaptés à la microscopie à fenêtre de repère du niveau d'eau ou à l'analyse d'azote ou représentent les éléments ou composés similaires les plus adaptés à l'analyse du carbone, l'analyse du bore et la lithographie aux rayons X à l'aide de rayons X (11 et 12). On construit ces structures à l'aide de techniques standard de déposition de couche mince telles que l'évaporation, la pulvérisation cathodique et la déposition en phase gazeuse par procédé chimique (CVD), ou bien à l'aidede nouveaux procédés permettant de déposer de couches plus fines et plus lisses.
Designated States: AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LT, LU, LV, MD, MG, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TT, UA, UG, UZ, VN.
African Regional Intellectual Property Organization (KE, MW, SD, SZ, UG)
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)