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1. (WO1996004534) MULTIPOINT TEMPERATURE MONITORING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFERS DURING PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/004534    International Application No.:    PCT/US1995/008521
Publication Date: 15.02.1996 International Filing Date: 12.07.1995
IPC:
G01J 5/00 (2006.01)
Applicants: C.I. SYSTEMS LTD. [IL/IL]; P.O. Box 147, 10551 Midgal Ha Emek (IL) (For All Designated States Except US).
CABIB, Dario [IL/IL]; (IL) (For US Only).
BUCKWALD, Robert, A. [US/IL]; (IL) (For US Only).
ADEL, Michael, E. [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: CABIB, Dario; (IL).
BUCKWALD, Robert, A.; (IL).
ADEL, Michael, E.; (IL)
Agent: FRIEDMAN, Mark, M.; 2940 Birchtree Lane, Silver Spring, MD 20906 (US)
Priority Data:
110,549 02.08.1994 IL
Title (EN) MULTIPOINT TEMPERATURE MONITORING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFERS DURING PROCESSING
(FR) APPAREIL DE SURVEILLANCE DE LA TEMPERATURE EN DES POINTS MULTIPLES D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR PENDANT SON TRAITEMENT
Abstract: front page image
(EN)An emissivity compensating non-contact system for measuring the temperature of a semiconductor wafer (24). The system includes a semiconductor wafer emissivity compensation station (10) for measuring the reflectivity of the wafer (24) at discrete wavelengths to yield wafer emissivity in specific wavelength bands. The system further includes a measurement probe (13) which is optically coupled to a semiconductor process chamber (12). The probe (13) senses wafer self-emission using one or more optical detectors (40) and a light modulator (42). A background temperature determining mechanism (44) independently senses the temperature of a source (46) of background radiation. Finally, a mechanism (16) calculates the temperature of the semiconductor wafer based on reflectivity and self-emission of the wafer and background temperature.
(FR)L'invention concerne un système de mesure à compensation d'émittance, permettant de mesurer sans contact la température d'une plaquette de semi-conducteur (24). Ce système comporte un poste (10) de compensation de l'émittance mesurant le pouvoir de réflexion de la plaquette (24) à des longueurs d'ondes différentes, pour déterminer l'émittance dans des bandes spécifiques de longueurs d'onde. Le système comprend en outre une sonde de mesure (13) qui est couplée optiquement à une chambre de traitement (12) pour semi-conducteurs. La sonde (13) détecte l'émission spontanée de la plaquette en utilisant un ou plusieurs détecteurs optiques (40) et un modulateur de lumière (42). Un dispositif (44) pour déterminer la température de fond détecte d'une manière indépendante la température d'une source (46) de rayonnement de fond. Finalement, un dispositif (16) calcule la température de la plaquette de semi-conducteur à partir du pouvoir de réflexion, de l'émission spontanée de la plaquette, et de la température de fond.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)