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1. WO1996004534 - MULTIPOINT TEMPERATURE MONITORING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFERS DURING PROCESSING

Publication Number WO/1996/004534
Publication Date 15.02.1996
International Application No. PCT/US1995/008521
International Filing Date 12.07.1995
IPC
G01J 5/00 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
CPC
G01J 5/0003
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
0003for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
Applicants
  • C.I. SYSTEMS LTD. [IL/IL]; P.O. Box 147 10551 Midgal Ha Emek, IL (AllExceptUS)
  • CABIB, Dario [IL/IL]; IL (UsOnly)
  • BUCKWALD, Robert, A. [US/IL]; IL (UsOnly)
  • ADEL, Michael, E. [IL/IL]; IL (UsOnly)
Inventors
  • CABIB, Dario; IL
  • BUCKWALD, Robert, A.; IL
  • ADEL, Michael, E.; IL
Agents
  • FRIEDMAN, Mark, M.; 2940 Birchtree Lane Silver Spring, MD 20906, US
Priority Data
110,54902.08.1994IL
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) MULTIPOINT TEMPERATURE MONITORING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFERS DURING PROCESSING
(FR) APPAREIL DE SURVEILLANCE DE LA TEMPERATURE EN DES POINTS MULTIPLES D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR PENDANT SON TRAITEMENT
Abstract
(EN)
An emissivity compensating non-contact system for measuring the temperature of a semiconductor wafer (24). The system includes a semiconductor wafer emissivity compensation station (10) for measuring the reflectivity of the wafer (24) at discrete wavelengths to yield wafer emissivity in specific wavelength bands. The system further includes a measurement probe (13) which is optically coupled to a semiconductor process chamber (12). The probe (13) senses wafer self-emission using one or more optical detectors (40) and a light modulator (42). A background temperature determining mechanism (44) independently senses the temperature of a source (46) of background radiation. Finally, a mechanism (16) calculates the temperature of the semiconductor wafer based on reflectivity and self-emission of the wafer and background temperature.
(FR)
L'invention concerne un système de mesure à compensation d'émittance, permettant de mesurer sans contact la température d'une plaquette de semi-conducteur (24). Ce système comporte un poste (10) de compensation de l'émittance mesurant le pouvoir de réflexion de la plaquette (24) à des longueurs d'ondes différentes, pour déterminer l'émittance dans des bandes spécifiques de longueurs d'onde. Le système comprend en outre une sonde de mesure (13) qui est couplée optiquement à une chambre de traitement (12) pour semi-conducteurs. La sonde (13) détecte l'émission spontanée de la plaquette en utilisant un ou plusieurs détecteurs optiques (40) et un modulateur de lumière (42). Un dispositif (44) pour déterminer la température de fond détecte d'une manière indépendante la température d'une source (46) de rayonnement de fond. Finalement, un dispositif (16) calcule la température de la plaquette de semi-conducteur à partir du pouvoir de réflexion, de l'émission spontanée de la plaquette, et de la température de fond.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau