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1. (WO1996003774) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A HIGH BLOCKING CAPABILITY EDGE TERMINATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/003774    International Application No.:    PCT/DE1995/000935
Publication Date: 08.02.1996 International Filing Date: 14.07.1995
Chapter 2 Demand Filed:    30.11.1995    
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEPHANI, Dietrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEINERT, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MITLEHNER, Heinz; (DE).
STEPHANI, Dietrich; (DE).
WEINERT, Ulrich; (DE)
Priority Data:
P 44 26 866.1 27.07.1994 DE
Title (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HOCHSPERRENDEM RANDABSCHLUSS
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A HIGH BLOCKING CAPABILITY EDGE TERMINATION
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A TERMINAISON MARGINALE A HAUT POUVOIR DE BLOCAGE
Abstract: front page image
(DE)Ein n- oder p-dotiertes Halbleitergebiet (2) nimmt die Verarmungszone (21) eines aktiven Bereichs (3) des Halbleiterbauelements mit einer von einer angelegten Sperrspannung abhängigen vertikalen Ausdehnung auf. Der Randabschluß (4) für den aktiven Bereich (3) ist mit einem entgegengesetzt zum Halbleitergebiet (2) dotierten Halbleiter gebildet und ist unmittelbar angrenzend um den aktiven Bereich (3) an oder in einer Oberfläche (20) des Halbleitergebietes (2) angeordnet. Die laterale Ausdehnung (W) des Randabschlusses (4) ist größer als die maximale vertikale Ausdehnung (T) der Verarmungszone (21), und das Halbleitergebiet (2) sowie der Randabschluß (4) sind mit einem Halbleiter mit einem Bandabstand von wenigstens 2 eV gebildet.
(EN)An n or p-doped semiconductor region (2) accepts the depletion region (21) of an active section (3) of the semiconductor component with a vertical expansion depending on an applied blocking voltage. The edge termination (4) for the active region (3) takes the form of a semiconductor with the opposite doping to the semiconductor region (2) immediately adjacent to the active region (3) or in a surface (20) of the semiconductor region (2). The lateral expansion (W) of the edge termination (4) is greater than the maximum vertical expansion (T) of the depletion region (21) and the semiconductor region (2) and the edge termination (4) are formed by a semiconductor with a band spacing of at least 2 eV.
(FR)Une zone semi-conductrice (2) dopée par des impuretés de type n ou p accueille la zone de déplétion (21) d'une zone active (3) du composant à semi-conducteur avec une expansion verticale dépendant d'une tension de blocage appliquée. La terminaison marginale (4) de la zone active (3) est formée à l'aide d'un semi-conducteur dopé de manière inverse à celle dont est dopée la zone semi-conductrice (2) et est disposée de manière directement adjacente autour de la zone active (3) sur ou à l'intérieur d'une surface (20) de la zone semi-conductrice (2). L'expansion latérale (W) de la terminaison marginale (4) est supérieure à l'expansion verticale (T) maximale de la zone de déplétion (21), et la zone semi-conductrice (2) ainsi que la terminaison marginale (4) sont formées à l'aide d'un semi-conducteur ayant un intervalle d'énergie entre deux bandes d'au moins 2 eV.
Designated States: CA, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)