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1. (WO1996002964) A TRANSFERRED ELECTRON EFFECT DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/002964    International Application No.:    PCT/IB1995/000550
Publication Date: 01.02.1996 International Filing Date: 10.07.1995
IPC:
H01L 47/02 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 5, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only).
PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED [GB/GB]; 420-430 London Road, Croydon CR9 3QR (GB) (GB only)
Inventors: BATTERSBY, Stephen, John; (GB)
Agent: STEVENS, Brian, Thomas; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
9414311.2 15.07.1994 GB
Title (EN) A TRANSFERRED ELECTRON EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF A EFFET DE TRANSFERT D'ELECTRONS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor body (2) has an active region (6) of n conductivity type formed of a material having a relatively low mass, high mobility conduction band main minimum and at least one relatively high mass, low mobility conduction band satellite minimum and an injector region (9) defining a potential barrier (P) to the flow of electrons into the active region (6) of a height such that, in operation of the device, electrons with sufficient energy to surmount the barrier (P) provided by the injector region (9) are emitted into the active region (6) with an energy comparable to that of the at least one relatively high mass, low mobility conduction band satellite minimum. An electron containing well region (10a, 10b) of a material different from that of the active region (6) and of the injector region (9) is provided between the injector region (9) and the active region (6) for inhibiting the spread of a depletion region into the active region (6) during operation of the device.
(FR)Un corps semiconducteur (2) comporte une région active (6) à conductivité de type n, constituée d'un matériau présentant un minimum principal en matière de bande de conduction, à forte mobilité et masse relativement faible et au moins un minimum, propre aux satellites, en matière de bande de conduction à faible mobilité et masse élevée, ainsi qu'une région d'injection (9) définissant une barrière de potentiel (P) contre l'écoulement d'électrons dans la région active (6), d'une hauteur telle que, pendant le fonctionnement du dispositif, les électrons dotés d'une énergie suffisante pour sauter la barrière (P) définie par la région d'injection (9) soient émis dans la région active (6) avec une énergie comparable à celle du minimum propre aux satellites en matière de bande de conduction à masse relativement élevée et faible mobilité. Une région de puits (10a, 10b), contenant des électrons et constituée d'un matériau différent de celui de la région active (6) et de la région d'injection (9) est disposée entre ces deux régions (6, 9) pour empêcher l'extension d'une zone de déplétion dans la région active (6) pendant le fonctionnement de ce dispositif.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)