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1. (WO1996002948) METHOD FOR MAKING A PHOTOVOLTAIC MATERIAL OR DEVICE, RESULTING MATERIAL OR DEVICE, AND SOLAR CELL COMPRISING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/002948    International Application No.:    PCT/FR1995/000945
Publication Date: 01.02.1996 International Filing Date: 13.07.1995
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.1996    
IPC:
H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/20 (2006.01)
Applicants: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange, F-75016 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
KUZNICKI, Zbigniew, T. [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: KUZNICKI, Zbigniew, T.; (FR)
Agent: CABINET NUSS; 10, rue Jacques-Kablé, F-67080 Strasbourg Cédex (FR)
Priority Data:
94/08885 13.07.1994 FR
Title (EN) METHOD FOR MAKING A PHOTOVOLTAIC MATERIAL OR DEVICE, RESULTING MATERIAL OR DEVICE, AND SOLAR CELL COMPRISING SAME
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MATERIAU OU DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE, MATERIAU OU DISPOSITIF AINSI OBTENU ET PHOTOPILE COMPRENANT UN TEL MATERIAU OU DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)A method for making a photovoltaic material or device, the resulting material or device, and a solar cell comprising such a material or device, are disclosed. The method comprises processing the rear surface of a single-crystal silicon chip region, wafer or slice to form a rear field as well as electrical contact areas or points, then processing the front surface to form a surface emitter thin film, a shallow p-n junction and at least one very thin highly doped continuous planar substructure buried in the emitter and/or the base and provided with a number of crystalline and electric interfaces, particularly two L-H interfaces and two crystalline heterointerfaces, and finally heat treating said chip region, wafer or slice to form, in said emitter film, a heterostructure of different materials or of materials having different crystallinities, coinciding with the selected doping profile.
(FR)La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un matériau ou dispositif photovoltaïque, un matériau ou dispositif ainsi obtenu et une photopile comprenant un tel matériau ou dispositif. Procédé caractérisé en ce qu'il consiste à traiter la face arrière d'une plaquette, tranche ou région de puce en silicium monocristallin, de manière à créer un champ arrière ainsi que des zones ou points de contact électrique, à traiter ensuite la face avant de manière à former une couche mince d'émetteur en surface, une jonction P-N de faible profondeur, ainsi qu'au moins une sous-structure continue plane très fortement dopée, enterrée dans l'émetteur et/ou dans la base, de très faible épaisseur et dotée de plusieurs interfaces cristallines et électriques, notamment de deux interfaces du type L-H et de deux hétéro-interfaces cristallines et, enfin, à soumettre ladite tranche, plaquette ou région de puce, à un traitement thermique de manière à obtenir dans la couche d'émetteur une hétéro-structure de matériaux différents ou de matériaux de cristallinités différentes, coïncidant avec le profil de dopage adopté.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)