WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1996002944) AN ANTI-FUSE STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1996/002944    International Application No.:    PCT/US1995/008795
Publication Date: 01.02.1996 International Filing Date: 12.07.1995
Chapter 2 Demand Filed:    29.01.1996    
IPC:
H01L 23/525 (2006.01)
Applicants: VLSI TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1109 McKay Drive, San Jose, CA 95131 (US)
Inventors: PRAMANIK, Dipankar; (US).
NARIANI, Subhash, R.; (US)
Agent: HICKMAN, Paul, L.; P.O. Box 61059, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
08/275,187 14.07.1994 US
Title (EN) AN ANTI-FUSE STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) STRUCTURE ANTIFUSIBLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)An anti-fuse structure formed in accordance with the present invention includes a conductive layer base. A layer of anti-fuse material (38) overlies the conductive base layer (36). On top of the anti-fuse layer (38) is an insulating layer (40), in which a via hole (42) is formed to the anti-fuse layer (38). The lateral dimension of the via hole (42) is less than about 0.8 microns. Provided in the via hole (42) is a conductive non-Al plug (47) filling the via (42) as well as a conductive barrier material (44) such as TiN or TiW to contact the anti-fuse material (38) and overlie the insulating layer (40). Tungsten is effectively used as the non-Al plug (47). A top layer of Al (48) is also possible included in the structure over the conductive barrier material (44). The structure is then programmable by application of a programming voltage and readable by application of a sensing voltage, which is lower than the programming voltage.
(FR)Une structure antifusible produite selon la présente invention comprend une couche de base conductrice. Une couche d'un matériau (38) antifusible est située au-dessus de la couche de base conductrice (36). Une couche isolante (40), formée au-dessus de la couche antifusible (38), comporte un trou traversant (42) qui s'étend jusqu'à ladite couche antifusible (38). La dimension latérale du trou (42) est inférieure à environ 0,8 microns. Le trou traversant (42) est pourvu d'un tampon conducteur (47), non composé d'Al, qui remplit le trou (42), ainsi que d'un matériau d'arrêt conducteur (44), tel que TiN ou TiW, qui entre en contact avec le matériau antifusible (38) et recouvre la couche isolante (40). Du tungstène peut être utilisé efficacement comme tampon (47) non composé d'Al. Une couche supérieure d'Al (48) peut éventuellement être intégrée dans la structure au-dessus du matériau d'arrêt conducteur (44). Cette structure peut alors être programmée par application d'une tension de programmation, et peut être lue par application d'une tension de détection inférieure à la tension de programmation.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)