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1. (WO1994029899) METHOD ENHANCING PLANARIZATION ETCHBACK MARGIN, RELIABILITY, AND STABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/029899    International Application No.:    PCT/US1994/005628
Publication Date: 22.12.1994 International Filing Date: 19.05.1994
Chapter 2 Demand Filed:    22.12.1994    
IPC:
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: VLSI TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1109 McKay Drive, San Jose, CA 95131 (US)
Inventors: JAIN, Vivek; (US).
WELING, Milind, G.; (US).
PRAMANIK, Dipankar; (US)
Agent: KAUFMAN, Michael, A.; Flehr, Hohbach, Test, Albritton & Herbert, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4187 (US)
Priority Data:
08/072,279 04.06.1993 US
Title (EN) METHOD ENHANCING PLANARIZATION ETCHBACK MARGIN, RELIABILITY, AND STABILITY OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE POUR AMELIORER LA MARGE DE GRAVURE EN RETRAIT D'APLANISSEMENT, LA FIABILITE ET LA STABILITE DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)Void-free planarization of sub-micron semiconductor devices results from depositing a layer of silicon-enriched oxide (210) over a conventionally fabricated device and its metal traces (200). Conventional layers of TEOS-based oxide (220) and SOG (230) are then applied over the layer of the silicon-enriched oxide (210). The silicon-enriched oxide has an index of refraction of at least 1.50, a dangling bond density of about 10?17¿/cm?3¿, and is about 1000 to 2000 angstroms thick. Because it is relatively deficient in oxygen atoms, the silicon-enriched oxide releases few oxygen atoms when exposed by the etching process and does not greatly accelerate the SOG etch rate. The silicon-enriched oxide has an etch rate that is only about 75 % that of the stoichiometric TEOS-based oxide and it thereby acts as a buffer that slows the etch-back process as the etching approaches the metal traces, thereby protecting the metal traces against exposure. The silicon-enriched oxide promotes stability and reliability of the underlying device by performing a shield-like function in neutralizing charges that could influence the underlying device.
(FR)Une bonne planéité sans vides de dispositifs à semi-conducteurs sous-microniques est obtenue par dépôt d'une couche d'oxyde enrichie en silicium (210) sur un dispositif fabriqué d'une manière classique et sur ses métaux à l'état de traces (200). Des couches classiques d'oxyde à base de TEOS (tétra-éthyl-ortho-silicate) (220) et de verre produit par centrifugation (230) sont alors appliquées sur la couche d'oxyde enrichie en silicium (210). La couche d'oxyde enrichie en silicium a un indice de réfraction d'au moins 1,50, une densité de combinaisons libres d'environ 10?17¿/cm?3¿ et son épaisseur est d'environ 1000 à 2000 angströms. Comme il est relativement déficient en atomes d'oxygène, l'oxyde enrichi en silicium ne libère que peut d'atomes d'oxygène lorsqu'il est exposé au processus d'attaque et n'accélère pas beaucoup la vitesse d'attaque du verre produit par centrifugation. L'oxyde enrichi en silicium présente une vitesse d'attaque qui ne représente qu'environ 75 % de celle de l'oxyde stoechiométrique à base de TEOS, et il agit donc comme tampon qui ralentit le processus d'attaque à mesure que l'attaque se rapproche des métaux à l'état de traces, ce qui évite que les métaux à l'état de traces ne soient mis à nu. L'oxyde enrichi en silicium améliore la stabilité et la fiabilité du dispositif sous-jacent en jouant un rôle de bouclier pour neutraliser les charges qui pourraient influer sur le dispositif sous-jacent.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)