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1. (WO1994028579) METHOD OF FORMING INSULATING OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/028579    International Application No.:    PCT/JP1994/000835
Publication Date: 08.12.1994 International Filing Date: 25.05.1994
Chapter 2 Demand Filed:    22.12.1994    
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP)
Inventors: OHMI, Tadahiro; (JP)
Agent: FUKUMORI, Hisao; 12, Honshio-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
5/122699 25.05.1993 JP
Title (EN) METHOD OF FORMING INSULATING OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMAGE D'UNE COUCHE MINCE D'OXYDE ISOLANTE ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)This invention is directed to provide an insulating oxide film having a high dielectric strength, a small leakage current and a large charge injection capacity, and to provide a semiconductor device having such an insulating oxide film. The formation method of an insulating oxide film according to the present invention is characterized in that a semiconductor is heated in a weak oxidizing atmosphere consisting of inert gas, moisture and active species of hydrogen or in a weak oxidizing atmosphere consisting of inert gas, moisture active species of hydrogen, and hydrogen, so that an insulating oxide film is formed on the surface of the substrate. The semiconductor device according to the present invention is characterized in that it has an insulating film formed by the method described above.
(FR)L'invention concerne la production d'une couche mince d'oxyde isolante présentant une haute résistance diélectrique, un faible courant de fuite et une grande capacité d'injection de charge, ainsi que la production d'un dispositif à semi-conducteur présentant ladite couche mince d'oxyde isolante. Le procédé de formage d'une couche mince d'oxyde isolante selon l'invention est caractérisé en ce qu'un semi-conducteur est chauffé dans une atmosphère faiblement oxydante constituée d'un gaz inerte, d'humidité et d'une espèce active d'hydrogène, ou dans une atmosphère faiblement oxydante constituée d'un gaz inerte, d'humidité et d'une espèce active d'hydrogène, et d'hydrogène, de manière qu'une couche mince d'oxyde isolante est formée sur la surface du substrat. Le dispositif à semi-conducteur de l'invention est caractérisé en ce qu'il présente une couche mince isolante formée par le procédé décrit ci-dessus.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)