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1. (WO1994028376) APPARATUS AND METHOD OF FILM THICKNESS MEASUREMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/028376    International Application No.:    PCT/US1994/005759
Publication Date: 08.12.1994 International Filing Date: 20.05.1994
Chapter 2 Demand Filed:    19.12.1994    
IPC:
G01B 11/06 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Room E32-300, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: SAWIN, Herbert, H.; (US).
CONNER, William, T.; (US).
DALTON, Timothy, J.; (US).
SACHS, Emanuel, M.; (US)
Agent: WEISSBURG, Steven, J.; 238 Main Street, Suite 303, Cambridge, MA 02142 (US)
Priority Data:
070,118 28.05.1993 US
Title (EN) APPARATUS AND METHOD OF FILM THICKNESS MEASUREMENT
(FR) PROCEDE ET METHODE DE MESURE DE L'EPAISSEUR DES COUCHES MINCES
Abstract: front page image
(EN)A new technique has been developed to measure etching or deposition rate uniformity in situ using a CCD camera (342, 1742) which views the wafer (308, 1708) during plasma processing. The technique records the temporal modulation of plasma emission or laser illumination (360, 1770) reflected from the wafer (308, 1708); this modulation is caused by interferometry as thin films (313, 1713) are etched or deposited. The measured etching rates compare very well with those determined by Helium-Neon laser interference. This technique is capable of measuring etching rates across 100 mm or larger wafers (308, 1708). It can resolve etch rate variations across a wafer or within a die (308, 1708). The invention can also be used to make endpoint determinations in etching operations as well as measuring the absolute thickness of thin films (313, 1713).
(FR)La nouvelle methode mise au point permet de mesurer in situ l'uniformité de la gravure ou du taux de dépôt au moyen d'une caméra de type CCD (342, 1742) pendant le traitement au plasma. Cette méthode assure l'enregistrement de la modulation dans le temps du dégagement de plasma ou de l'illumination laser (360, 1770) réfléchie par la tranche de silicium (308, 1708); cette modulation provient d'un phénomène interférométrique se produisant lors de la gravure ou du dépôt sur couches minces (313, 1713). Les mesures de taux de gravures sont comparables à celles que l'on botient par l'interféromètre à laser Hélium-Néon. Cette méthode permet de faire des mesures de taux de gravures sur des tranches de dimensions de 100 mm ou plus (308, 1708). Cette méthode permet également de calculer les variations du taux de gravure sur la totalité d'une tranche ou à l'intérieur d'un dé (308, 1708). L'invention est également utilisable pour calculer le point limite au cours des opérations de gravure, ainsi que pour mesurer l'épaisseur absolue des couches minces (313, 1713).
Designated States: AU, CA, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)