WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1994027370) CIRCUIT FOR DRIVING A HALF-BRIDGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/027370    International Application No.:    PCT/IB1994/000091
Publication Date: 24.11.1994 International Filing Date: 04.05.1994
IPC:
H02M 7/538 (2007.01), H03K 17/06 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Applicants: PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-16485 Stockholm (SE) (SE only)
Inventors: JAYARAMAN, Rajsekhar; (US).
JANASWAMY, Anand; (US).
WACYK, Ihor; (US)
Agent: EVERS, Johannes, Hubertus, Maria; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
08/060,176 07.05.1993 US
08/155,053 19.11.1993 US
Title (EN) CIRCUIT FOR DRIVING A HALF-BRIDGE
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'UN DEMI-PONT
Abstract: front page image
(EN)A half-bridge driver circuit including a lower drive module and a floating upper drive module for driving respective external upper and lower power transistors of a high voltage half-bridge is contained in an integrated circuit chip which includes an on-chip bootstrap diode emulator for charging an external bootstrap capacitor that powers the upper drive module. The upper drive is accommodated in an insulated well and the diode emulator includes as its main current carrying element, an LDMOS transistor formed along the periphery of the well. The LDMOS transistor is driven into a conducting state at the same time the lower power transistor is driven into a conducting state.
(FR)Circuit de commande d'un demi-pont comprenant un module de commande inférieur et un module de commande supérieur flottant destinés à commander respectivement les transistors supérieur et inférieur externes d'un demi-pont à haute tension. Ce circuit est contenu dans la puce d'un circuit intégré, comprenant un émulateur de diode d'amorçage destiné à charger une capacité d'amorçage externe alimentant le module d'alimentation supérieur. Ce dernier est installé dans un logement isolé. L'émulateur de diode comprend, en tant qu'élément principal de transfert de courant, un transistor LDMOS réalisé à la périphérie du logement. Le transistor LDMOS est amené à l'état conducteur en même temps que le transistor de puissance inférieur.
Designated States: CA, CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)