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1. (WO1994027329) FABRICATION OF OXIDE SUPERCONDUCTOR DEVICES BY IMPURITY ION IMPLANTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/027329    International Application No.:    PCT/CA1994/000236
Publication Date: 24.11.1994 International Filing Date: 13.05.1994
IPC:
H01L 39/24 (2006.01)
Applicants: THE UNIVERSITY OF BRITISH COLUMBIA [CA/CA]; Research Administration, IRC Building, Room 331, 2194 Health Sciences Mall, Vancouver, British Columbia V6T 1Z3 (CA)
Inventors: MA, Qi, Yuan; (CA)
Agent: MANNING, Gavin, N.; Oyen Wiggs Green & Mutala, #480 - 601 West Cordova Street, Vancouver, British Columbia V6B 1G1 (CA)
Priority Data:
08/061,320 14.05.1993 US
Title (EN) FABRICATION OF OXIDE SUPERCONDUCTOR DEVICES BY IMPURITY ION IMPLANTATION
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS A L'OXYDE PAR IMPLANTATION D'IONS D'IMPURETE
Abstract: front page image
(EN)Superconductivity is inhibited in selected portions of a high temperature superconductor ('HTS') material by patterning the selected portions with a resist. The patterned material is ion-bombarded to implant impurity ions in non-resist-bearing portions of the material. After low temperature annealing, the non-resist-bearing portions of the material lose their superconducting characteristics, but such characteristics are preserved in the material's resist-bearing portions. The material's crystalline structure is preserved, so additional layers can be epitaxially grown atop the inhibited material. Superconductivity is inhibited at a selected depth in an HTS material by subjecting the material to impurity ion bombardment at an energy level controlled to implant ions in the material at the selected depth. After low temperature annealing, the material loses its superconducting characteristics at the selected depth, but such characteristics are preserved at other depths (i.e. above and below the selected depth) and the material's crystalline structure is preserved. A multilayer HTS device and circuit structure can be made by initially depositing an HTS material on a substrate. Superconductivity is inhibited at a first selected depth in the material by ion-bombarding it at a first energy level controlled to implant impurity ions in the material at the first depth. The ion bombardment step is repeated for other selected depths by ion-bombarding the material at other energy levels controlled to implant impurity ions at the other depths. After low temperature annealing the material loses its superconducting characteristics at the selected depths, but such characteristics are preserved at other depths in the material, which retains its crystalline structure.
(FR)Procédé d'inhibition de la supraconductivité dans des parties sélectionnées d'un matériau supraconducteur haute température (SHT) selon lequel on sculpte les parties sélectionnées avec un agent de réserve. Le matériau sculpté est bombardé aux ions pour implanter des ions d'impureté dans les parties du matériau qui ne comportent pas d'agent de réserve. Après recuit à basse température les parties du matériau ne comportant pas d'agent de réserve perdent leurs caractéristiques de supraconductivité alors que les parties avec agent de réserve conservent les leurs. La structure cristalline du matériau est préservée et on peut donc faire pousser épitaxialement des couches supplémentaires sur le matériau inhibé. On inhibe la supraconductivité à une profondeur sélectionnée dans un matériau SHT en soumettant le matériau à un bombardement d'ions d'impureté à un niveau d'énergie régulée pour implanter les ions à une profondeur sélectionnée dans le matériau. Après recuit à basse température le matériau perd ses caractéristiques de supraconductivité à la profondeur sélectionnée mais ces caractéristiques sont préservées aux autres profondeurs (c'est-à-dire au-dessus et au-dessous de la profondeur sélectionnée) et la structure cristalline du matériau est intacte. On peut produire un dispositif SHT multicouche et une structure de circuit associée en déposant au départ un matériau SHT sur un substrat. On inhibe la supraconductivité à une première profondeur sélectionnée dans le matériau en le bombardant d'ions à un premier niveau d'énergie régulée pour implanter à une première profondeur dans le matériau, des ions d'impureté. On recommence l'étape de bombardement ionique pour d'autres profondeurs sélectionnées en bombardant d'ions le matériau à d'autres niveaux d'énergie régulée pour implanter des ions d'impureté aux autres profondeurs. Après recuit à basse température le matériau perd ses caractéristiques de supraconductivité aux profondeurs sélectionnées mais conserve ces caractéristiques aux autres profondeurs dans le matériau dont la structure cristalline est restée intacte.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, GE, HU, JP, KG, KP, KR, KZ, LK, LU, LV, MD, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SI, SK, TJ, TT, UA, UZ, VN.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)