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1. (WO1994027295) NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING THE THRESHOLD VALUE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/027295    International Application No.:    PCT/JP1994/000759
Publication Date: 24.11.1994 International Filing Date: 11.05.1994
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/14 (2006.01), G11C 16/16 (2006.01), G11C 16/28 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), G11C 27/00 (2006.01)
Applicants: NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTOU, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAKAWA, Toshifumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: GOTOU, Hiroshi; (JP).
ASAKAWA, Toshifumi; (JP)
Agent: TAKINO, Hideo; 4th floor, SK Building, 36-13, Ebisu 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150 (JP)
Priority Data:
5/109573 11.05.1993 JP
5/210295 25.08.1993 JP
5/298103 29.11.1993 JP
5/327213 24.12.1993 JP
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING THE THRESHOLD VALUE THEREOF
(FR) MEMOIRE REMANENTE ET PROCEDE POUR REGLER SA VALEUR DE SEUIL
Abstract: front page image
(EN)In a non-volatile semiconductor memory device including a floating gate type memory cell, after the drain or source is charged, it is placed in an electrically floating state and a signal with alternately changing positive and negative potentials is applied to the control gate of the memory cell so as to reduce the charges stored in the floating gate, thereby converging the threshold voltage of the memory cell into a predetermined voltage. Thus, a write/erase operation in the memory device can be carried out surely in a short time.
(FR)Dans une mémoire rémanente à semi-conducteurs comportant une cellule de mémoire de type à grille flottante, après électrisation du drain ou de la source, ceux-ci sont placés dans un état électriquement flottant et un signal à potentiels positif et négatif variant en alternance est appliqué à la grille de commande de la cellule de mémoire de manière à réduire les charges accumulées dans la grille flottante, ce qui permet de faire converger la tension de seuil de la cellule de mémoire vers une tension prédéterminée. Ainsi, une opération d'écriture/effacement dans la mémoire peut s'effectuer en toute fiabilité et en un temps réduit.
Designated States: DE, GB, JP, KR, US.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)