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1. (WO1994026425) LASER ABSORPTION WAVE DEPOSITION PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/026425    International Application No.:    PCT/US1994/005319
Publication Date: 24.11.1994 International Filing Date: 13.05.1994
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01), C23C 16/453 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01)
Applicants: MCDONNELL DOUGLAS CORPORATION [US/US]; P.O. Box 516, M/C 306-1280, St. Louis, MO 63166 (US)
Inventors: THALER, Stephen, L.; (US)
Agent: HUDSON, Benjamin, Jr.; P.O. Box 516, M/C 306-1280, St. Louis, MO 63166 (US)
Priority Data:
08/062,202 17.05.1993 US
Title (EN) LASER ABSORPTION WAVE DEPOSITION PROCESS
(FR) PROCEDE DE DEPOT PAR ONDE D'ABSORPTION LASER
Abstract: front page image
(EN)There is disclosed herein a pulsed laser method for forming film coatings from a gas, such as H¿2? (22) and a hydrocarbon (24). The gas mixture input by line (20) and nozzle (18) is ignited by laser (12) to form flame (26) and then irradiated by a laser pulse (14) at an energy level above the threshold breakdown level of the gas to create a seed plasma in the gas at (28). Subsequent energy from the laser pulse is absorbed to form a plasma excitation called a laser absorption wave (30). The laser absorption wave is a wall of energy which detaches from the seed plasma and propagates through the gas (30a, b). The film growth precursor fragments of the gas are generated by the laser absorption wave and deposited onto a substrate (32 or 34) welding to its surface to form a coating. The substrate surface may be partially liquefield or evaporated forming precursor fragments of the substrate that mix with the precursor fragments of the gas that weld to the substrate forming a coating.
(FR)L'invention concerne un procédé laser impulsionnel servant à former des revêtements de film à partir d'un gaz, tel que H¿2? (22) et d'un hydrocarbure (24). Le mélange gazeux est introduit par une conduite (20) et un ajutage (18) est allumé par laser (12) pour produire une flamme (26), et est ensuite irradié par une impulsion laser (14) à un niveau d'énergie supérieur au niveau de rupture de seuil du gaz afin de créer un plasma d'ensemencement dans le gaz au niveau (28). Une énergie ultérieure provenant de l'impulsion laser est absorbée pour produire une excitation du plasma appelée onde d'absorption laser (30). L'onde d'absorption laser est un front d'énergie qui se détache du plasma d'ensemencement et se propage dans le gaz (30a, b). Les fragments de gaz précurseurs d'étirement du film sont générés par l'onde d'absorption laser et déposés sur un substrat (32 ou 34) en se soudant à sa surface afin de former un revêtement. La surface du substrat peut être partiellement liquéfiée ou évaporée en formant des fragments précurseurs du substrat qui se mélangent aux fragments précurseurs du gaz qui se soudent au substrat en formant un revêtement.
Designated States: CA, DE, GB, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)